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MCT兩級TE冷卻光電導探測器
  • MCT兩級TE冷卻光電導探測器
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貨物所在地:上海上海

更新時間:2025-01-23 21:00:07

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1-15μm中紅外光浸沒式MCT兩級TE冷卻光電導探測器 PCI-2TE系列是基于復雜的MCT異質結構的兩級熱電冷卻紅外光電導探測器,采用光學浸沒來提高器件的性能,具有好的性能和穩定性。探測器在λ_opt條件下性能達到好。截止波長受GaAs透過率(~0.9μm)的限制。設備應該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。
MCT兩級TE冷卻光電導探測器總覽

PCI-2TE系列是基于復雜的MCT異質結構的兩級熱電冷卻紅外光電導探測器,采用光學浸沒來提高器件的性能,具有好的性能和穩定性。探測器在λ_opt條件下性能達到。截止波長受GaAs透過率(~0.9μm)的限制。設備應該在的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲,探測器在低頻時性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長增大而增大。3°楔狀藍寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。 

1-15μm中紅外光浸沒式MCT兩級TE冷卻光電導探測器 PCI-2TE系列產品應用

● 熱成像

● FTIR光譜學

● 激光外差探測

● 中紅外氣體分析

技術參數

參數

探測器型號

PCI-2TE-5

PCI-2TE-6

PCI-2TE-9

PCI-2TE-10.6

PCI-2TE-12

PCI-2TE-13

有源元件材料

外延MCT異質結構

最佳波長(μm)

5.0

6.0

9.0

10.6

12.0

13.0

相對響應強度D*   (λpeak,20kHz),cm·Hz1/2/W

≥4.0×1010

≥2.0×1010

≥8.0×109

≥2.8×109

≥1.0×109

≥4.0×108

相對響應強度D* (λopt,20kHz),cm·Hz1/2/W

≥2.0×1010

≥1.0×1010

≥4.0×109

≥1.0×109

≥4.5×108

≥2.3×108

電流響應度-活性面積長度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W

≥3.0

≥1.5

≥0.225

≥0.1

≥0.05

≥0.03

時間常數T,ns

≤20000

≤4000

≤40

≤10

≤3

≤2

1/f噪聲角頻率fc,Hz

≤10k

≤20k

偏置電壓-光學區域長度比Vb/LO,V/mm

≤0.2

≤0.32

≤0.2

≤0.225

≤0.15

≤0.18

電阻R,Ω

≤1200

≤800

≤400

≤300

≤200

≤150

工作溫度Tdet,K

~230

感光面尺寸,mm×mm

0.5×0.5,1×1,2×2

封裝

TO8,TO66

接收角?

~36°

窗口

wAl2O3

wZnSeAR


20℃探測器的光譜響應曲線

2te.png

兩級TE冷卻參數表

參量

數值

Tdet,K

~230

Vmax,V

1.3

Imax,A

1.2

Qmax,W

0.36


熱敏電阻特性曲線

2te1.png

光學窗口透過率曲線

2te3.png

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