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III-V族短波紅外探測(cè)器光敏材料為InAs，符合嚴(yán)苛的歐洲環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)；采用SMD封裝，小型可靠易于安裝；波長(zhǎng)響應(yīng)為1.3-3.6微米、覆蓋從短波到中波紅外；線(xiàn)性響應(yīng)范圍寬，響應(yīng)功率從1微瓦到數(shù)毫瓦；無(wú)需制冷工作在室溫環(huán)境；適合用于CO、HF、NH₃、C₂H₂、CH₄、C₂H₆、HCI等氣體探測(cè)。

III-V族短波紅外探測(cè)器的主要技術(shù)指標(biāo)：

工作環(huán)境溫度：20 攝氏度；

波長(zhǎng)響應(yīng)：1.3-3.6微米

峰值響應(yīng)波長(zhǎng)：2.9微米；

峰值電流響應(yīng)率Ri：0.6 A/W;

峰值探測(cè)率D*：>3.0x10⁹

1.3微米處響應(yīng)率：>10%峰值響應(yīng)率；

3.6微米處響應(yīng)率：>10%峰值響應(yīng)率；

響應(yīng)時(shí)間：<45 納秒

封裝：SMD貼片；

入射角：>115 度