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| 供貨周期 | 一周 | 應用領域 | 化工 |
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二硫化鉬薄膜、MoS2薄膜、CVD二維薄膜
中文名稱：二硫化鉬薄膜
英文名稱：MoS2薄膜
純度：99%
保存時間：1年
規格：mg/g
包裝：瓶裝/袋裝
儲藏條件：-20°C 下避光保存
用途：僅用于科研，不能用于人體
二硫化鉬薄膜、MoS2薄膜、CVD二維薄膜
基本性質：
無摻雜二硫化鉬是層狀N型半導體，屬于過渡金屬二硫族化合物，塊狀能帶間隙為1.23eV （間接帶隙），單層MoS2帶隙~1.85eV（直接帶隙）。
制造方法：
化學氣相沉積法， Chemical Vapor Deposition （CVD）
簡介：
MoS2薄膜分為多種：
1） 單層離散分布的三角狀單晶晶粒，三角邊長一般是幾十至一百微米。
2） 由三角晶粒繼續長大連在一起的單層連續薄膜。
3） 多層MoS2 連續薄膜。
4） 基底：MoS2可選基底較多，其中硅片基底、帶氧化層硅片基底和藍寶石基底為直接沉積產品。其他基底例如PET，PI，ITO，FTO，玻璃，金屬基底等是通過在藍寶石上生長后轉移至客戶所需基底。
應用領域：
光電器件，微電子器件，生物傳感，化學傳感等領域。
包裝及規格：
10*10mm，15*15mm，20*20mm，2英寸圓片，4英寸圓片
凈化抽真空包裝， 1片/盒，5片/盒。10片/盒。
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.24.
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