HBN薄膜，單層氮化硼薄膜，SiO2/Si基底

中文名稱：HBN薄膜，單層氮化硼薄膜SiO2/Si基

英文名稱：Monolayer boron nitride film（HBN）

CAS號：7440-42-8

尺寸描述：參數(shù)描述中尺寸為連續(xù)氮化硼薄膜尺寸，基底尺寸偏大

基底：SiO2/Si

晶粒尺寸：>4 um

氧化層：300 nm

硅：500 um

應(yīng)用：HBN薄膜可被用作金屬絕緣金屬結(jié)構(gòu)的超薄間隔層，以及電子的隧道阻擋層，使其具有廣泛的應(yīng)              用，例如納米電容器、場效應(yīng)隧道晶體管。作為單分子膜還可被用作介質(zhì)或基片。

保存條件：常溫干燥避光密封保存

HBN薄膜，單層氮化硼薄膜，SiO2/Si基底

單層氮化硼薄膜（HBN）在SiO2/Si基底上制備通常是通過化學(xué)氣相沉積（CVD）等技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。以下是一般的制備步驟：

基底準(zhǔn)備： 使用硅（Si）基底，并在其表面形成一層二氧化硅（SiO2）薄膜。這一步通常通過熱氧化或物理沉積等方法完成。

CVD沉積： 使用化學(xué)氣相沉積技術(shù)，將氮化硼（HBN）薄膜沉積在SiO2/Si基底表面。在CVD過程中，預(yù)先選擇的前體氣體（包含氮和硼的化合物）通過熱分解或化學(xué)反應(yīng)，使HBN層逐層形成在SiO2/Si基底上。

調(diào)控層厚： 通過控制CVD參數(shù)，如溫度、氣體流速和反應(yīng)時(shí)間，可以調(diào)控HBN薄膜的厚度。

后續(xù)處理： 可能需要進(jìn)行后續(xù)的退火或其他處理步驟，以優(yōu)化薄膜結(jié)構(gòu)和性能。

這樣制備的單層氮化硼薄膜在SiO2/Si基底上可以用于多種應(yīng)用，包括電子器件、傳感器、光學(xué)器件等領(lǐng)域。

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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.22.         

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