【重點摘要】
這項研究由浙江大學林時勝教授團隊等人發表。
制作了石墨烯/GaAs異質結構光檢測器
添加銀納米顆粒以進行等離子增強
實現超高（210 mA/W）、寬頻（325-980 nm）的響應度和探測度
從納米粒子等離子體重疊載流子分離區域進行增強
可用于色彩檢測等應用的可見光到近紅外的敏感度理想
協同石墨烯/GaAs/等離子體整合實現性能
【研究背景】
石墨烯展現出優異的寬頻光檢測光電特性，但基于石墨烯的光檢測器的響應度和探測度受限。將石墨烯與半導體作為異質結構整合可以增強性能，但半導體的能隙限制使先前的展示僅適用于狹窄光譜范圍，不適用于對敏感色彩檢測要求較高的應用。GaAs是克服這些限制的理想候選者，其直接的1.42電子伏特能隙和高遷移率使其能夠實現從可見光到近紅外的高性能光檢測。此外，石墨烯/GaAs界面上光產生載流子的超快分離為從局部表面等離子共振中獲得顯著增強提供了潛在可能性。本研究實現了一種等離子增強的石墨烯/GaAs異質結構光檢測器，其響應度、探測度和325-980 nm范圍內的寬頻響應度，呈現了現有光檢測器無法匹敵的靈敏度。
【研究結果】
在405nm波長下，銀納米顆粒使光響應度提高了38%，達到210mA/W，探測度提高了202%，達到2.98×10^13 Jones。
這種探測度超過先前基于石墨烯的光檢測器2至3個數量級。
提升效果覆蓋了從325nm到980nm的整個測試光譜范圍。
在較短波長處表現出更大的增強，與銀納米顆粒等離子共振峰相匹配。
顯示提升來自表面等離子共振。
更快的瞬態PL衰減（1.65ns對比1.97ns）表明銀納米顆粒將光吸收局部化在GaAs表面附近。
從300至1000nm的增加EQE與等離子增強相符。
以上確認了表面等離子體能夠在異質界面上更有效地分離載流子。
模擬顯示銀納米顆粒周圍和延伸至GaAs的近場集中。
與石墨烯/GaAs肖特基接面和GaAs光吸收深度重疊。
解釋了這種異質系統中極為寬頻提升的來源。
【研究方法】
作者將CVD生長的石墨烯轉移到n型GaAs基板上，制作了石墨烯/GaAs異質結構光檢測器。
使用自旋涂布技術將銀納米顆粒（直徑100nm）涂覆到石墨烯表面，利用表面等離子共振提升器件性能。
在不同照射波長（325-980nm）下，以自供電模式測量了光電流、響應度和探測度。
進行了瞬態PL衰減和EQE測量，以研究性能提升機制。
【結論】
石墨烯與GaAs的協同作用通過石墨烯/GaAs接面耗盡區域、表面等離子近場和GaAs吸收深度的復雜重疊，帶來了顯著的寬頻增強。這種增強機制特別適用于石墨烯/直接帶隙半導體異質結構，例如石墨烯/GaAs。由此產生的增強效應提高了響應度、探測度和寬廣的光譜范圍，使其成為一款出色的光檢測器，特別適用于需要敏感彩色檢測的應用，比如CCD成像。
隨著5G和移動技術的進步推動先進光電感應器件融入日常生活，挑戰在于感光區域的縮小。然而，這種趨勢要求這些先進光檢測器具有更出色的光感應性能，增加了準確測量量子效率的難度。傳統方法在波長分散引起的焦點位移方面存在困難，使得在微米級活躍區域內精確捕捉全光譜量子效率曲線變得困難。
作為回應，Enlitech APD-QE利用空間光均勻化技術和ASTM“照射模式"，適用于測量LiDAR感應器、TFT影像感應器、InGaAs光電二極管等多種先進光檢測器的量子效率和關鍵參數。傳統量子效率系統在準確測量小面積光檢測器方面存在限制，因為光子聚焦和克服光學分散和畸變所造成的測量誤差難度，影響了EQE光譜曲線。APD-QE 能克服這些挑戰，成為光偵測器的工具!
5
立即詢價
您提交后，專屬客服將第一時間為您服務