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技術參數：

HMDS預處理系統的必要性：

在半導體生產工藝中，光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環節，涂膠質量直接影響到光刻的質量，涂膠工藝也顯得尤為重要，光刻涂膠工藝中絕大多數光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導致光刻圖形

轉移的失敗，同時濕法腐蝕容易發生側向腐蝕。增黏劑HMDS（六甲基二硅氮烷）可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到硅片表面后，經烘箱加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變為疏水，其疏水基可很好地與光刻膠結合，起著偶聯劑的作用。HMDS真空干燥箱 HMDS預處理系統

HMDS預處理系統的原理：

HMDS預處理系統通過對真空干燥箱HMDS預處理過程的工作溫度、處理時間、處理時保持時間等參數可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS，降低了HMDS處理后的硅片接觸角，降低了光刻膠的用量，提高光刻膠與硅片的黏附性。HMDS真空干燥箱 HMDS預處理系統

HMDS預處理系統的一般工作流程：

先確定工作溫度。典型的預處理程序為：打開真空泵抽真空，待腔內真牢度達到某一高真空度后，開始充人氨氣，充到達到某低真空度后，再次進行抽真空、充入氨氣的過程，到達設定的充入氫氣次數后，開始保持一段時間，使硅片寧懷儀器充分受熱，減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空，充入HMDS氣體，在到達設定時間后，停止充入HMDS藥液，進入保持階段，使硅片充分與HMDS反應。當達到設定的保持時間后，再次開始抽真空。充入氨氣，完成整個作業過程。HMDS與硅片反應機理如圖：先加熱到100℃－200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS與表面的OH一反應，在硅片表而生成硅醒，消除氫鍵作，從而使極性表面變成非極性表面。整個反應持續到空間位阻（三甲基硅烷基較大）阻止其進一步反應。尾氣排放等：多余的HMDS蒸汽（尾氣）將由真空泵抽出，排放到專用廢氣收集管道。在無專用廢氣收集管道時需做專門處理，