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| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,能源,電子,交通 |
|---|---|---|---|
| 電流諧波 | ≤3% |
產(chǎn)品簡介
詳細介紹
■ 產(chǎn)品說明
為滿足新型電氣化和電力儲能行業(yè)應用新型碳化硅SiC功率器件，以及鋰離子電池向半固態(tài)、固態(tài) 技術(shù)演進等新技術(shù)應用帶來的新測試需求挑戰(zhàn)，明輝*推出基于第三代 寬禁帶半導體SiC的超高速大功率充放電測試系統(tǒng)。
■ 應用領(lǐng)域
儲能裝置系統(tǒng)（動力電池系統(tǒng)，燃料電池堆和儲能電池簇）和變流裝置（電機控制器，雙向變流器，逆變器和雙向DC/DC）的電氣性能研發(fā)，驗證，檢測。
■ 主要特點
第三代寬禁帶半導體：
采用*的第三代寬禁帶半導體—碳化硅SiC。與傳統(tǒng)IGBT相比，具備高耐電強度、高開關(guān)頻率、低開關(guān)損耗的優(yōu)勢;
高動態(tài)電流響應:
在電池負載，電流無超調(diào)和電壓作為限制條件的情況下：
電流響應時間（0到100%FS）: ＜1ms
充放電轉(zhuǎn)換時間(滿量程之間轉(zhuǎn)換）:＜2.5ms
放電電壓到0V;
節(jié)能高效：充放電效率高于93%;
綠色環(huán)保：電流諧波≤3%;
高功率密度：
與傳統(tǒng)的工頻隔離技術(shù)相比,體積和重量減小三分之一;
低直流紋波：
采用高頻開關(guān)技術(shù)和整理技術(shù),輸出電流紋波大幅降低;
低噪聲污染:
高頻開關(guān)控制技術(shù)消除傳統(tǒng)IGBT設(shè)備的電磁噪音,大幅降低噪聲污染；
內(nèi)嵌直流內(nèi)阻測量和工況數(shù)據(jù)導入功能；
系統(tǒng)集成：整合BMS,溫控箱和水冷機等設(shè)備。
交流疊加功能：可選。