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一、概述

ME-Mapping 光譜橢偏儀是一款可定制化Mapping繪制化測(cè)量光譜橢偏儀，采用行業(yè)前沿創(chuàng)新技術(shù)，配置全自動(dòng)Mapping測(cè)量模塊，通過橢偏參數(shù)、 透射/反射率等參數(shù)的測(cè)量，快速實(shí)現(xiàn)薄膜全基片膜厚以及光學(xué)參數(shù)自定義繪制化測(cè)量表征和分析。

全基片橢偏繪制化測(cè)量解決方案；

支持產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及功能模塊定制化，一鍵繪制測(cè)量；

配置Mapping模塊，全基片自定義多點(diǎn)定位測(cè)量能力；

豐富的數(shù)據(jù)庫(kù)和幾何結(jié)構(gòu)模型庫(kù)，保證強(qiáng)大數(shù)據(jù)分析能力。

二、產(chǎn)品特點(diǎn)

采用氘燈和鹵素?zé)魪?fù)合光源，光譜覆蓋紫外到近紅外范圍 (193-2500nm)；

高精度旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器調(diào)制、PCRSA配置，實(shí)現(xiàn)Psi/Delta光譜數(shù)據(jù)高速采集；

具備全基片自定義多點(diǎn)自動(dòng)定位測(cè)量能力，提供全面膜厚檢測(cè)分析報(bào)告；

數(shù)百種材料數(shù)據(jù)庫(kù)、多種算法模型庫(kù)，涵蓋了目前絕大部分的光電材料。

三、產(chǎn)品應(yīng)用

ME-Mapping光譜橢偏儀廣泛應(yīng)用OLED，LED，光伏，集成電路等工業(yè)應(yīng)用中,實(shí)現(xiàn)大尺寸全基片膜厚、光學(xué)常數(shù)以及膜厚分布快速測(cè)量與表征。

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