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技術(shù)文章

電子顯微鏡樣品導(dǎo)電薄膜制造裝置-鋨等離子體鍍膜機

閱讀:57          發(fā)布時間:2024-12-25

電子顯微鏡樣品導(dǎo)電薄膜制造裝置-鋨等離子體鍍膜機

用鋨離子鍍膜
機電鏡觀察  解決您的難題!
 它對于防止充電、減少顆粒感和熱損傷非常有效。




 概述



鋨等離子鍍膜機是一種主要用于SEM樣品的導(dǎo)電薄膜生產(chǎn)裝置,采用“使用直流輝光放電的負(fù)輝光相區(qū)域的等離子成膜方法"。導(dǎo)電鋨薄膜可以使用獲得的直流等離子體CVD方法形成(在負(fù)輝光相區(qū)域內(nèi)成膜)。自動操作允許任何人安全地沉積鋨薄膜并具有良好的再現(xiàn)性。

該產(chǎn)品陣容包括鋨薄膜專用型號和配備使用萘的等離子聚合膜機構(gòu)的兩用型號。可選配超薄膜形成機構(gòu)、親水處理機構(gòu)、深樣品機構(gòu),支持各種應(yīng)用。
此外,除了傳統(tǒng)的開關(guān)型外,鋨薄膜型號的產(chǎn)品陣容中還新增了觸摸屏型。



 原則



 


對于要用掃描電子顯微鏡(SEM)拍照的樣品,必須在樣品表面形成導(dǎo)電薄膜,以防止其因電子束照射而帶電。
傳統(tǒng)上,導(dǎo)電薄膜是使用濺射或金氣相沉積方法形成的。然而,人們擔(dān)心樣品表面的顆粒度以及樣品熱損傷造成的損壞。
因此,Philgen 開發(fā)了鋨等離子體鍍膜機,這是一種可以利用直流等離子體 CVD(負(fù)輝光相區(qū)域成膜)方法形成導(dǎo)電鋨薄膜的設(shè)備。
當(dāng)將少量4氧化鋨(OsO4)氣體/萘氣體(C10H18)引入真空室中并發(fā)生輝光放電時,瞬間變成等離子體狀態(tài),分為正輝光相區(qū)和負(fù)輝光相區(qū)。
此時,電離的分子立即附著并沉積在置于陰極板負(fù)輝相區(qū)域的樣品表面上,形成非晶態(tài)鋨薄膜/等離子體聚合膜(萘)。
鋨薄膜是非晶態(tài)的,因此不會對樣品造成熱損傷,并且當(dāng)用SEM對涂層樣品進行拍照時,可以獲得極其清晰的圖像,沒有顆粒感。



 與其他方法的比較



◆關(guān)于鋨薄膜


?無粒度 - 人類淋巴細(xì)胞

鋨涂層


放大倍數(shù):50,000x
濺射鍍膜 (Pt-Pd)


放大倍數(shù):50,000x
 由于鋨薄膜是非晶態(tài)的,沒有顆粒感,可以清晰地拍攝樣品表面。
 濺射涂層樣品顯示出顆粒狀。

? 良好的環(huán)繞性 - 抗破洞

鋨涂層


放大倍數(shù):50,000x
非拍攝


放大倍率:50,000x
 通過將氧化鋨氣化后成膜,即使是凹凸區(qū)域,也能夠以良好的覆蓋率進行涂敷。
 無需充電即可拍攝清晰的照片。

?無熱損傷-硝酸安

鋨涂層




放大倍數(shù):1,000x
金沉積法




放大倍數(shù):2,000x
 沒有加熱的過程,可以在室溫下成膜,因此對樣品沒有熱損傷。
 經(jīng)過金蒸發(fā)預(yù)處理的樣品因熱損傷而出現(xiàn)裂紋。 ?金屬鋨的熔點  高達(dá)2,700℃,

不會被電子束損壞,是一種極其堅固的薄膜。 ?無污染(在鋨離子氣氛中形成的膜)




◆關(guān)于等離子聚合膜(萘制碳?xì)浠衔锬ぃ?br/>


?韌性(應(yīng)用于FIB)
 這是一種堅韌的膜,可以承受FIB中使用的鎵離子。

?耐熱性?

絕緣性

?無顆粒感(碳?xì)浠衔锏入x子聚合膜是無定形的)

?良好的包裹性(萘氣化后形成膜)

?無熱損傷(無加熱過程,(在室溫下形成膜)

?無電子束損傷



 應(yīng)用



鋨薄膜機構(gòu)(觸摸屏型/開關(guān)型)
?SEM樣品用導(dǎo)電薄膜
?SEM、TEM樣品的防污染?AFM
樣品保護膜
?SPM樣品用導(dǎo)電保護膜
?SPM懸臂膜保護
等離子聚合成膜機理
?FIB樣品的保護膜?
防止包埋樹脂與樣品之間的剝離?
氟樹脂涂層
 (
萘-鋨混合涂層
?TEM網(wǎng)格支撐膜
?TEM超薄切片的防漂移
導(dǎo)電超薄膜形成機制(可選)
?FESEM對絕緣體超細(xì)結(jié)構(gòu)觀察
?ESCA和AES對絕緣體 表面信息進行定量分析 加固?AFM樣品的防靜電?STM
?TEM樣品的導(dǎo)電 (僅限混合氣體法)


親水處理機制(可選)
?
氟樹脂表面鋨涂層預(yù)處理等?
防止包埋樹脂與樣品之間剝離?改善
潤濕性
?TEM支撐膜表面親水化?TEM
網(wǎng)格親水化?
金剛石刀刀刃超親水化用于切片機
深樣品機構(gòu)(可選)
?適合涂覆較高的樣品



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