價格區(qū)間 |
1-1萬 |
應用領域 |
綜合 |
探測器面積 |
0.20 mm2 |
封裝 |
扁平 TO18 |
光譜響應度 |
280nm |
工作溫度 |
-55+170℃ |
反向電壓 |
20V |
德國Sglux光電二極管紫外線寬帶
SG01M-18S 系列
紫外線寬帶 (UVA+UVB+UVC)
0.20 mm² 探測器面積
扁平 TO18 封裝,密封,帶 1 個絕緣引腳和 1 個外殼引腳
在 280 nm(峰值靈敏度)下進行 10 mW/cm² 的照射可產(chǎn)生約 3200 nA 的電流
具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片(通過 PTB 檢測)
德國Sglux光電二極管紫外線寬帶
0.06 mm2 至 36 mm2 的有源表面和用于定位的象限光電二極管
紫外線寬帶靈敏度或可選濾光片,用于 UVA、UVB、UVC 或 UV 指數(shù)
各種入口窗口和外殼設計(TO 或 SMD)
自 2009 年以來自有 SiC 芯片生產(chǎn)
也可提供 VUV 靈敏度
德國Sglux光電二極管紫外線寬帶
光電二極管是密封的,因此是壓密的。但是,后觸針不得與水或濕氣接觸。這會影響光電二極管的輸出電流。
芯片的有效面積決定了光電探測器可以捕獲多少個光子。半導體探測器,如 SiC-UV 光電二極管,將光子轉換為電流,即光電流 I。該光電流隨芯片的輻照度和有效面積線性增加。由于探測器的價格隨著有效面積的增加而增加,因此面積的選擇本質上是成本和光電流之間的權衡。 如果您知道要使用 UV 光電二極管測量的最小和最大輻照度,則可以使用以下簡化公式來粗略估計給定有源芯片面積 AChip 的光電流 I。 I=Achip *Eλ *1000,其中 I 是光電流,單位為 nA,A 是有效芯片面積,單位為 mm2(輸入值 0.06 或 0.2 或 0.5 或 1.82,或 7.6 或 36),Eλ 是要測量的紫外光源的光譜輻照度,單位為 mW/cm2。最小光電流(待測min輻照度下的光電二極管輸出)應不小于 500pA。如果您不熟悉 Eλ,第一步是使用 L 芯片光電二極管 (1.00 mm2)。