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武漢賽斯特精密儀器有限公司
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半導體SiC動態參數測試儀

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具體成交價以合同協議為準

產品型號

品       牌其他品牌

廠商性質生產商

所  在  地武漢市

更新時間:2022-02-23 15:23:01瀏覽次數:316次

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產地類別 國產 應用領域 醫療衛生,環保,化工
半導體SiC動態參數測試儀 是一種用于工程與技術科學基礎學科領域的儀器。是一種用于工程與技術科學基礎學科領域的儀器。

半導體SiC動態參數測試儀


技術指標

1.小電流i-v : 超低漏電流(fA),最 大電壓200V,最大電流1A; 2.高電壓I-V : 最大電壓1000V 3.通用I-V : 適合于大多數參數測試 4.c-v單元: 能夠在1MHz下測量10pF電 容,準確度達1%。

主要功能

自動完成多路硅微條探測器中多條探測單元的I-V特性、C-V特性、擊穿特性等參數測量,無需人工一點一點的測量。其主要任務是快速高效地甄別多路硅微條探測性能,從而優化工藝,提高探測器性能,更好的服務于核物理實驗。


包括:

半導體二極管:鍺二極管、硅二極管、化合物二極管等;

半導體三極管:鍺三極管、硅三極管、化合物三極管等;

特種器件及傳感器;

敏感器件:壓力敏感器件、磁敏器件(含霍爾器件及霍爾電路)、氣敏器件、濕敏器件、離子敏感器件、聲敏感器件、射線敏感器件、生物敏感器件、靜電感器件等;

裝好的壓電晶體類似半導體器件;

半導體器件專用零件。


半導體SiC動態參數測試儀


武漢賽斯特精密儀器有限公司是武漢市專業研發,以力學試驗機儀器為主,同時銷售各種、中低端分析儀器。現有員工60多人,公司成功開發了PCI放大采集卡和中文版試驗軟件,并采用全數字化,操作簡捷,*符合GB、ISO、JIS、ASTM、DIN等標準、國家標準、行業標準的要求,公司亦通過了ISO9001質量體系認證和國家計量體系認證,榮獲了“武漢市第九界消費者滿意單位"的稱號。


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