IGBT靜態參數測試系統知識介紹：

1、設備功能：

適用于傳統硅基及SiC二極管、三極管、MOSFET、J-FET、IGBT單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導體分立器件全靜態參數測試。

2、運行條件：

溫度：25±5℃

相對濕度：<60%，在或低于30℃

通風條件：設備四面距離墻面大于5cm

交流電源：220V±10%，47-63Hz，良好的測試儀器接地

3、IGBT靜態參數測試系統可測試器件種類及參數：

二極管：DIODE

測試參數：IR、BVR、VF

晶體管：TRANSISTOR(NPN型、PNP型)

測試參數：ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON)

穩壓(納)二極管：ZENER

測試參數：IR、VZ MIN、VZ MAX、VF

結型場效應管：J-FET(N-溝/P-溝，耗盡型/增強型)

測試參數：IGSS、IDOFF、IDGO、BVDGO、BVGSS、VDSON、VGSON、IDSS、IDSON、RDSON、gFS

MOS 場效應管：POWER MOSFET(N-溝/P-溝)

測試參數：IDSS、IGSSF、IGSSR、BVDSS、VGSTH、VDSON,VF、IDON、VGSON、RDSON、gFS

三端穩壓器：REGULATOR(正電壓/負電壓，固定/可變)

測試參數：VOUT、IIN

光電耦合器：OPTO-COUPLER(NPN型PNP型)

測試參數：ICOFF、ICBO、IR、BVCEO、BVECO、BVCBO、BVEBO、CTR、VCESAT、VSAT、VF

可控硅整流器(普通晶閘管)SCR

測試參數：IDRM、IRRM、IGKO、VDRM、VRRM、BVGKO、VTM、I GT、VGT、IL、IH

雙向可控硅(雙向晶閘管)TRIAC

測試參數：IDRM IRRM、IGKO、VD+、VD-、BVGKO、VT+VT-、I GT1/2/3/4、VGT1/2/3/4、IL+、IL-、IH+、IH-

絕緣柵雙極大功率晶體管：IGBT(NPN型PNP型)

測試參數：ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF

繼電器：RELAY

測試參數：RCOIL、VOPER、VREL、RCONT、OPTIME、RELTIME(需加繼電器適配器)

壓變電阻：VARISTOR

測試參數：ID+ ID-、VC+ VC-

達林頓陣列：DARLINTON

測式參數：ICBOICEOIEBOBVCEOBVCBOBVEBOhFEVCESATVBESAT、VBE(VBEON)