當前位置:武漢賽斯特精密儀器有限公司>>靜態參數測試系統>> IGBT靜態參數測試系統
IGBT靜態參數測試系統知識介紹:
1、設備功能:
適用于傳統硅基及SiC二極管、三極管、MOSFET、J-FET、IGBT單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導體分立器件全靜態參數測試。
2、運行條件:
溫度:25±5℃
相對濕度:<60%,在或低于30℃
通風條件:設備四面距離墻面大于5cm
交流電源:220V±10%,47-63Hz,良好的測試儀器接地
3、IGBT靜態參數測試系統可測試器件種類及參數:
二極管:DIODE
測試參數:IR、BVR、VF
晶體管:TRANSISTOR(NPN型、PNP型)
測試參數:ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON)
穩壓(納)二極管:ZENER
測試參數:IR、VZ MIN、VZ MAX、VF
結型場效應管:J-FET(N-溝/P-溝,耗盡型/增強型)
測試參數:IGSS、IDOFF、IDGO、BVDGO、BVGSS、VDSON、VGSON、IDSS、IDSON、RDSON、gFS
MOS 場效應管:POWER MOSFET(N-溝/P-溝)
測試參數:IDSS、IGSSF、IGSSR、BVDSS、VGSTH、VDSON,VF、IDON、VGSON、RDSON、gFS
三端穩壓器:REGULATOR(正電壓/負電壓,固定/可變)
測試參數:VOUT、IIN
光電耦合器:OPTO-COUPLER(NPN型PNP型)
測試參數:ICOFF、ICBO、IR、BVCEO、BVECO、BVCBO、BVEBO、CTR、VCESAT、VSAT、VF
可控硅整流器(普通晶閘管)SCR
測試參數:IDRM、IRRM、IGKO、VDRM、VRRM、BVGKO、VTM、I GT、VGT、IL、IH
雙向可控硅(雙向晶閘管)TRIAC
測試參數:IDRM IRRM、IGKO、VD+、VD-、BVGKO、VT+VT-、I GT1/2/3/4、VGT1/2/3/4、IL+、IL-、IH+、IH-
絕緣柵雙極大功率晶體管:IGBT(NPN型PNP型)
測試參數:ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF
繼電器:RELAY
測試參數:RCOIL、VOPER、VREL、RCONT、OPTIME、RELTIME(需加繼電器適配器)
壓變電阻:VARISTOR
測試參數:ID+ ID-、VC+ VC-
達林頓陣列:DARLINTON
測式參數:ICBOICEOIEBOBVCEOBVCBOBVEBOhFEVCESATVBESAT、VBE(VBEON)
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
以上信息由企業自行提供,信息內容的真實性、準確性和合法性由相關企業負責,化工儀器網對此不承擔任何保證責任。
溫馨提示:為規避購買風險,建議您在購買產品前務必確認供應商資質及產品質量。