PLUTO-MH等離子體表面處理系統(實驗平臺)

PLUTO-MH型等離子體表面處理系統是針對于高校，科學研究所和企業實驗室，或者小批量生產的創新性企業而研發的創新型實驗平臺。我們收集了大量客戶使用信息，分析應用需求，將多年設計和制造經驗應用于小型化，多功能的等離子體表面處理設備。無論是設計理念，零配件的選用，都傾注大量精力。

針對用戶不同的需求，我們提供不同功能附件，在獲得常規性能的同時，擁有表面鍍膜（涂層），刻蝕，等離子化學反應，粉體等離子體處理等多種能力。

PLUTO-MH等離子體表面處理系統(實驗平臺)應用領域:

配置不同模塊，拓展不同應用

加熱電極模塊-溫度可控，可以加速等離子體處理速度和*大提高樣品處理的均勻性

沉積鍍膜模塊，改變表面特性：

沉積CF材料，樣品表面可以具有憎水的特性

沉積含苯材料，樣品表面起到絕緣防水的特性

沉積含有羥基的材料，提高樣品表面和其他材料的結合效果

感應耦合模塊-感應耦合等離子體裝置

氣體混合裝置

可以根據可以要求進行混氣設計

氣體純化和反應

氣體純化和使用等離子體與相關材料進行化學反應

產品參數:

1. 真空腔規格: 316不銹鋼腔體,直徑210mm*(深)230mm 約4L

2. 電極：兩個自適應平板電極，材質T6061鋁合金(可提供特氟龍包覆無孔平板電極,適合需要雙面處理樣品)

3. 電極尺寸：120*135mm 間距20~75mm 可調(可反轉)

4. 等離子體發生器：RF射頻發生器，頻率：13.56MHz

5. 功率：0-500W連續可調，自動阻抗匹配,精度1W

6. 氣體控制：針式氣體流量閥，標配1路氣體,全不銹鋼管道和連接件

7. 控制方式：4.3寸工業控制觸摸屏控制軟件功能：界面顯示實時工作狀態，可顯示設置值與實際值，便于實時控制?？勺杂稍O置等離子功率，通入氣體時間多級操作權限,多種工藝參數組合控制,手動控制和全自動控制可選

8. 保護裝置：一鍵急停保護按鈕

產品特點：

針對于對等離子體處理有嚴苛要求的場合中使用。

等離子源才用頻率為13.56MHz射頻發生器，兼顧物理反應和化學反應。

采用500W功率電源，自動阻抗匹配，高功率射頻發生器可應對各種實驗要求，保障高能量密度和高處理效率。

高精度真空度控制，適應各種處理需求。

316不銹鋼腔體（或者6061鋁合金），全不銹鋼管路和連接件，適用各種氣體（包含腐蝕性氣體）。

4.3寸工業級觸摸屏，軟件操作方便，多種參數設置和工藝組合處理模式。

可增加多種配件，涂覆鍍膜，電極溫度控制，等離子體強度控制，等離子體化學反應等功能（如有特殊應用，請咨詢銷售人員）。

根據用戶需求，提供對應等離子體處理方案和定制特殊用途設備。