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產(chǎn)品型號(hào)6SL3054-0EH01-1BA0CF
品 牌
廠商性質(zhì)代理商
所 在 地上海市
更新時(shí)間:2024-10-08 19:21:21瀏覽次數(shù):721次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來自 化工儀器網(wǎng)德國(guó)進(jìn)口 S120 CF 卡6SL3054-0FC01-1BA0
SINAMICS S120 CF 卡6SL3054-0FB11-1BA
德國(guó)進(jìn)口S120 CF 卡 6SL3054-0FB01-1BA0
德國(guó)S120 CF 卡6SL3054-0FB00-1BA0
德國(guó)進(jìn)口 S120 CF 卡6SL3054-0EJ01-1BA0
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:西門子6SL3054-0EH01-1BA0CF卡原裝現(xiàn)貨
6SL3054-0EH01-1BA0
SINAMICS S120 CF 卡 con 固件 opzione AMPLIAMENTO 性能 COMPRENSIVO DI 許可 (許可證) V4.7
產(chǎn)品圖片:西門子6SL3054-0EH01-1BA0CF卡原裝現(xiàn)貨
產(chǎn)品性能:
無論如何,CF卡還會(huì)繼續(xù)被很多設(shè)備支援,仍然成為專業(yè)數(shù)碼相機(jī)的主流標(biāo)準(zhǔn)。在2005年出產(chǎn)的消費(fèi)級(jí)數(shù)碼相機(jī)中,有一定數(shù)量還是支援CF卡。CF的主要特點(diǎn)仍是以少的價(jià)錢換取大的MB數(shù),比小型記憶卡有著高容量,CF II能使用MicroDrive,以及透過轉(zhuǎn)接器使用多種較小記憶卡。同時(shí), CF卡接口的記憶卡轉(zhuǎn)接器比其他類型的平, 全因它沒有芯片組。
閃存型存儲(chǔ)設(shè)備具有非易失性和固態(tài),所以它比磁盤驅(qū)動(dòng)器更穩(wěn)固,耗電量?jī)H相當(dāng)于磁盤驅(qū)動(dòng)器的5%,卻仍然具有較快的傳輸速率(SanDisk Extreme III型CF卡的寫入速度和讀取速度可達(dá)20MB/s)。它們的工作電壓為3.3volts或5volts,可以在不同的系統(tǒng)間轉(zhuǎn)換。閃存型CF卡可以適應(yīng)的溫度變化,工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的閃存卡可以在-45至85攝氏度的范圍內(nèi)工作。
4應(yīng)用編輯
CF接口已廣泛用于PDA、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)和包括臺(tái)式機(jī)在內(nèi)的各種設(shè)備。
到2005年,CF卡的容量規(guī)格從小的8MB到大可達(dá)12GB。(這里的1MB=1,000,000byte,1GB=1000MB)
EP7212是CIRRUS LOGIC公司生產(chǎn)的支持MP3格式的數(shù)字音頻解碼的微處理器。它采用ARM7TDMI CPU核,時(shí)鐘速率高達(dá)74MHz;它內(nèi)含DRAM、FLASH、LCD、串口和數(shù)字音頻接口。這些特征使得開發(fā)者容易實(shí)現(xiàn)MP3文件的解碼和播放。本例中利用CF卡存儲(chǔ)MP3。
(1)CPLD邏輯關(guān)系采用VHDL語言實(shí)現(xiàn)
OE <=NCS3 OR NRD;
WE <=NCS3 OR NWR;
CE1 <=A0 AND (NOT WORD);
CE2 <=(NOT A11)AND (NOT WORD);
REG <=A11;
(2)軟件實(shí)現(xiàn)
首先,配置結(jié)構(gòu)寄存器,設(shè)為MEMORY模式。然后,各個(gè)任務(wù)寄存器設(shè)定參數(shù)。后,將命令寫入命令寄存器,執(zhí)行操作。下面的代碼段實(shí)現(xiàn)將CF卡一個(gè)扇區(qū)全部寫入0XAAAA。
LDR R0,=0X30000200; //結(jié)構(gòu)寄存器地址A11=1
LDR R1,=0;
STRB R1,[R0]; //設(shè)置為MEMORY方式
LDR R0,=0X30000800; //初始化地址,A11=1
LDR R2,=0X80; //檢測(cè)忙信號(hào)
LDR R3,=0XAAAA; //測(cè)試數(shù)據(jù)
LDR R1,=1; //傳輸扇區(qū)數(shù)目。此處是1個(gè)扇區(qū)大小
STRB R1,[R0,#2];
LDR R1,=0; //起始扇區(qū)號(hào)
STRB R1,[R0,#3];
LDR R1,=0; //柱面低8位地址
STRB R1,[R0,#4];
LDR R1,=0; //柱面高8位地址
STRB R1,[R0,#5];
LDR R1,=0XE0; //磁道數(shù)
STRB R1,[R0,#6];
LDR R1,=0X30; //寫扇區(qū)命令
STRB R1[R0,#7];
WAIT
LDRB R1,[R0,#7]; //讀狀態(tài)信號(hào),檢測(cè)是否忙。
//若忙,在此循環(huán)
TST R1,R2;
BNE WAIT
LDR R4,=0; //初值
LDR R5,=0X100; //寫256個(gè)字,512個(gè)字節(jié)。
WRITE
STR R6,[R0];
ADD R5,R5,#1;
CMP R5,R4;
BNE WRITE; //向緩沖寫512個(gè)字節(jié)
由于篇幅有限,本文僅給出MEMORY模式實(shí)現(xiàn)的方法,其它兩種模式實(shí)現(xiàn)與MEMORY相似。由于CF卡具有易于攜帶、兼容性好、容量大的特點(diǎn),可以預(yù)見,它必將在更廣闊的領(lǐng)域得到應(yīng)用
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