什么是外延層厚度？所謂外延層是指在集成電路制造工藝中，生長沉積在晶圓襯底上的那一部分。
在某些情況下，需要硅片有非常純的與襯底有相同晶體結構(單晶)的硅表面，還要保持對雜質類型和濃度的控制。
這要通過在硅表面淀積一個外延層來達到。外延(epitaxial)是由兩個希臘詞組成的，epi意思是"在上面"，taxis意思是"排列"。
在硅外延中，硅基片作為籽晶在硅片上面生長一薄層硅。新的外延層會復制硅片的晶體結構。由于襯底硅片是單晶，外延層也是單晶。
而且，外延層可以是n型也可以是p型，這并不依賴于原始硅片的摻雜類型。例如，在p型硅片上外延一層電學活性雜質濃度比襯底還要低的P型硅是可以的。
硅外延發展的起因是為了提高雙極器件和集成電路的性能。外延可以在重摻雜的襯底上生長一層輕摻雜的外延層。這在優化pn結的擊穿電壓的同時降低了集電極電阻，在適中的電流強度下提高了器件的速度。
外延在CMOS集成電路中變得重要起來，因為隨著器件尺寸不斷縮小，它將閂鎖效應降到低。外延層通常是沒有玷污的(比如沒有氧顆粒，它不是真正的CZ法生長的硅) 。
外延層的厚度可以不同，用于高速數字電路的典型厚度是0.5到5微米，用于硅功率器件的典型厚度是50到100微米。
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