碳化硅（SiC）已成為工業電子領域最重要的寬禁帶半導體之一，由于其高熱導率、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優勢，特別是對于大功率半導體器件，碳化硅優于硅，更受青睞。而碳化硅（SiC）外延材料的厚度、背景載流子濃度等參數直接決定著SiC器件的各項電學性能。因此，碳化硅外延技術對于碳化硅器件性能的充分發揮具有決定性的作用，是寬禁帶半導體產業重要的一環。不知您是否為外延層厚度無損分析問題而困擾，在此我們介紹一種光學無損外延層厚度分析技術——傅立葉變換紅外反射光譜法（FTIR）。
紅外光譜法可用于測量半導體外延層厚度，無論硅基還是化合物半導體，且測量精度*。此方法是基于紅外光在層狀結構中產生的光干涉效應的分析，結合基礎的物理自洽擬合模型，充分利用所測得的光譜特征，擬合計算給出準確的層厚厚度值。對于摻雜后折射率參數很難準確確定的情況下，不僅可用于單層外延層層厚分析，更重要的可以用于復雜多層結構外延層層厚分析。結合布魯克INVENIO，VERTEX系列寬波段光譜儀，可用于亞微米量級至毫米量級的外延層層厚分析。
厚度范圍：亞微米量級至毫米量級
同質外延、異質外延
單層、多層
專用的分析模型，尤其對于復雜、多層結構的分析
可選自動晶圓掃描成像附件，可對直徑2"—12"的晶圓進行自動多點測試、分析
單層 多層
多點測試
*紅色曲線：實際測試曲線
*藍色曲線：模型擬合計算曲線以及厚度結果
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