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詳細摘要：YLS-22A大小鼠足底觸痛儀
足底觸敏痛覺試驗是目前、國內*的一種進行鎮痛藥物篩選的實驗方法，其優點是動物是在無約束、無干擾的自由狀態下進行測試，*消除了干擾痛閾的種種客觀因素（如：捉持、綁固、牽拉、曲扭等），使動物的痛閾能真實地顯現出來。

詳細摘要：Nolay-4000D礦用粉塵中游離二氧化硅檢測儀
以往檢測粉塵中的游離二氧化硅含量,均采用GB 5748 - 1985規定的“焦磷酸重量法"[ 1 ] ,但該方法操作繁瑣、檢測周期長、準確性差,難以滿足批量檢測的要求。
我公司專業提供工作環境中粉塵及煤礦粉塵測定配

詳細摘要：LY-1型 CCD楊氏模量測量儀采用顯微鏡和CCD成像系統。與一般采用目測讀數的產品相比，實驗現象更易觀察、讀數更精確。
實驗內容：
1、測量楊氏模量
儀器特點：顯示器觀察、結構緊湊、調節使用方便

詳細摘要：LY-2楊氏模量測量儀
儀器特點：
通過讀數顯微鏡直接讀取數據
實驗內容：
1、楊氏模量測量相對不確定度：＜5%

詳細摘要：RG-5500J紫外可見近紅外分光光度計是一款高性能紫外可見近紅外分光光度計，檢測波長范圍為200-2800nm（100mm積分球款）主要應?于固體、薄膜材料、化學液體材料以及粉末樣品，測量模式有透射、反射、漫反射。積分球采?PTFE涂層?稱聚四氟?烯，它的漫反射特

詳細摘要：RG-5500T紫外可見近紅外分光光度計是一款高性能紫外可見近紅外分光光度計，超寬光譜范圍最長可至3400nm。主要應?于固體、薄膜材料、化學液體材料，玻璃樣品等測量。測量模式有透射、鏡面反射（配鏡面反射附件）。

詳細摘要：ST-21L型方塊電阻測試儀
采用大規模集成電路作為儀器的主要部分，測量準確穩定，低功耗；
以大屏幕LCD顯示讀數，直觀清晰；
采用單個電池供電，帶電池欠壓指示；
體積≤175mm X90mm X42mm，重量≤300g；
特制之手握式探筆，球形探針

詳細摘要：RTS-3型手持式四探針測試儀
測量范圍寬、精度高、穩定性好、結構緊湊、易操作的手持式設計；
體積僅為：185mm（長）*90mm（寬）*30mm（高）； 重量：350g；
使用鋰電池供電，一次充電可連續使用100小時；

詳細摘要：ST-21H型方塊電阻測試儀是一種依照類似的國家標準和美國A.S.T.M標準，專門測量半導體薄層電阻（表面電阻）的新型儀器，可用于測量一般半導體材料、導電薄膜（ITO透明氧化膜），金屬薄膜……等同類物質的薄層電阻。

詳細摘要：ST-21型方塊電阻測試儀以大規模集成電路為主要核心；用基準電源和運算放大器組成高精度穩流源；帶回路有效正常指示電路；并配以大型LCD顯示讀數，使儀器具有體積小、重量輕、外形美、易操作、測量速度快、精度高的特點。

詳細摘要：RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計的，專用于測量硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。

詳細摘要：RTS-11型金屬四探針測試儀
專用于測試低阻金屬材料電阻率及方塊電阻
測量范圍：電阻率：10-7～10-2Ω.cm； 方塊電阻：10-6～10-1Ω/□；
是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設備，該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M

詳細摘要：RTS-5型雙電測四探針測試儀測試程序控制四探針測試儀進行測量并采集測試數據，把采集到的數據在計算機中加以分析，然后把測試數據以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來。用戶可對采集到的數據在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數據輸出

詳細摘要：RTS-9型雙電測四探針測試儀采用了四探針雙電測組合（亦稱雙位組合）測量新技術,將范德堡測量方法推廣應用到直線四探針上,利用電流探針、電壓探針的變換，在計算機控制下進行兩次電測量，能自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測

詳細摘要：RTS-4四探針測試儀儀器采用了電子技術進行設計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數快、精度高、測量范圍寬、穩定性好、結構緊湊、易操作等特點。
本儀器適用于半導體材料廠、半導體器件廠、科研單位、高等院校對半導體材料的電阻性能測試。按照單晶硅物

詳細摘要：RTS-8型四探針電阻率測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計的，專用于測試半導體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的專用儀器。
儀器由主機、測試臺、四探針探頭、計算機

詳細摘要：PN-12型導電類型鑒別儀采用整流法（也稱三探針法）和溫差法（也稱冷熱探筆法來判斷單晶（或多晶）硅的導電類型（N型或P型），用N型和P型顯示屏直接顯示單晶（或多晶）導電類型。
可判斷硅材料的電阻率范圍
溫差法：10-4Ω·Cm～105Ω&#

詳細摘要：LT-2型單晶少子壽命測試儀
是參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命。半導體材料的少數載流子壽命測量，是半導體的常規測試項目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測量包括集成電路級硅單晶在內的各種類型硅單晶

詳細摘要：PN-30型導電類型鑒別儀采用整流法（也稱三探針法）和溫差法（也稱冷熱探筆法來判斷單晶（或多晶）硅的導電類型（N型或P型），用N型和P型顯示屏直接顯示單晶（或多晶）導電類型。
該儀器特別采用工控指示開關，顯示清晰、經久耐用；可隨機調零；自動加熱

詳細摘要：CV-2000型電容電壓特性測試儀
作為組成半導體器件的基本結構的PN結具有電容效應（勢壘電容）。加正向偏壓時，PN結勢壘區變窄，勢壘電容變大；加反向偏壓時，PN結勢壘區變寬，勢壘電容變小。