KJ4-M12MB60-DPS-V2(OLD 9982-1050)傳感器

MTS    位移傳感器    RHM0350MP041S3B6105            
MTS    位移傳感器    RHM0370MP031S1G3100            
MTS    位移傳感器    RHM0400MP051S1G8100            
MTS    位移傳感器    RHM0430MP151S3B6105            
MTS    位移傳感器    RHM0580MP151S1G1100            
MTS    位移傳感器    RHM1190MP021S1G1100            
MTS    位移傳感器    RHM1200MP151S1G6100            
MTS    位移傳感器    RHM1245MP021S1G6100            
MTS    位移傳感器    RHM1245MP021S1G6100            
MTS    位移傳感器    RHM1640MP051S1G6100            
MTS    位移傳感器    RHM2510MR021A01            
MTS    位移傳感器    RHN0850MP101SG8100            
MTS    位置傳感器    GHM0155MD601A0            
MTS    位置傳感器    GHS0345MR102R01            
MTS    振動傳感器    RH-M-0025M-D70-1-S1G1100            
MTS    直線位置傳感器    RHM1100MP101AS3B6105            
MTS    自帶線母插頭直頭    PartNO.560885            
MTS    總線電纜    530109（15米）            
MTS    總線電纜    530109（15米） 

電阻應變式

傳感器中的電阻應變片具有金屬的應變效應，即在外力作用下產生機械形變，從而使電阻值隨之發生相應的變化。電阻應變片主要有金屬和半導體兩類，金屬應變片有金屬絲式、箔式、薄膜式之分。半導體應變片具有靈敏度高（通常是絲式、箔式的幾十倍）、橫向效應小等優點。

壓阻式

壓阻式傳感器是根據半導體材料的壓阻效應在半導體材料的基片上經擴散電阻而制成的器件。其基片可直接作為測量傳感元件，擴散電阻在基片內接成電橋形式。當基片受到外力作用而產生形變時，各電阻值將發生變化，電橋就會產生相應的不平衡輸出。

用作壓阻式傳感器的基片（或稱膜片）材料主要為硅片和鍺片，硅片為敏感材料而制成的硅壓阻傳感器越來越受到人們的重視，尤其是以測量壓力和速度的固態壓阻式傳感器應用為普遍。

熱電阻

熱電阻測溫是基于金屬導體的電阻值隨溫度的增加而增加這一特性來進行溫度測量的。

傳感器（圖6）

熱電阻大都由純金屬材料制成，應用多的是鉑和銅，此外，已開始采用鎳、錳和銠等材料制造熱電阻。

熱電阻傳感器主要是利用電阻值隨溫度變化而變化這一特性來測量溫度及與溫度有關的參數。在溫度檢測精度要求比較高的場合，這種傳感器比較適用。較為廣泛的熱電阻材料為鉑、銅、鎳等，它們具有電阻溫度系數大、線性好、性能穩定、使用溫度范圍寬、加工容易等特點。用于測量-200℃～+500℃范圍內的溫度。

KJ4-M12MB60-DPS-V2(OLD 9982-1050)傳感器