基本技術(shù)參數(shù)

1. 測(cè)量范圍、分辨率

電 阻: 0.010 ～ 50.00kΩ, 分辨率0.001 ～ 10 Ω

電 阻 率: 0.010～ 20.00kΩ-cm，分辨率0.001 ～ 10 Ω-cm

方塊電阻: 0.050～ 100.0kΩ/□ 分辨率0.001 ～ 10 Ω/□

2. 可測(cè)材料尺寸

手持方式不限材料尺寸，但加配測(cè)試臺(tái)則由選配測(cè)試臺(tái)決定如下：

直 徑：

手持式四探針測(cè)試儀 2016新款四探針電阻率測(cè)試儀 型號(hào)：HD-M-3

概述

HD-M-3型手持式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。

成套組成：由HAD-M-3主機(jī)、選配的四探針探頭等二部分組成，也可加配測(cè)試臺(tái)。

儀器所有參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換全部采用輕觸按鍵輸入；具有零位、滿度自校功能；手動(dòng)/自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程可選；測(cè)試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。本測(cè)試儀采用可充電電池供電，適合手持式變動(dòng)場(chǎng)合操作使用！

探頭選配：根據(jù)不同材料特性需要，探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭，以測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；也有球形鍍金銅合金探針探頭，可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜（ITO膜）或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測(cè)試夾具，還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測(cè)量。配探頭，也可測(cè)試電池極片等箔上涂層電阻率方阻。

儀器具有測(cè)量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、結(jié)構(gòu)緊湊、使用簡(jiǎn)便等特點(diǎn)。

儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、器件廠、科研單位、高等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的手持式導(dǎo)電性能的測(cè)試。

基本技術(shù)參數(shù)

1. 測(cè)量范圍、分辨率

電 阻: 0.010 ～ 50.00kΩ, 分辨率0.001 ～ 10 Ω

電 阻 率: 0.010～ 20.00kΩ-cm，分辨率0.001 ～ 10 Ω-cm

方塊電阻: 0.050～ 100.0kΩ/□ 分辨率0.001 ～ 10 Ω/□

2. 可測(cè)材料尺寸

手持方式不限材料尺寸，但加配測(cè)試臺(tái)則由選配測(cè)試臺(tái)決定如下：

直 徑：SZT-A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15～130mm。

SZT-C方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm。

長(zhǎng)(高)度：測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm。.

測(cè)量方位: 軸向、徑向均可.

3. 量程劃分及誤差等級(jí)

4) 適配器工作電源：220V±10％, f=50Hz±4％,P_W≤5W，或電池供電

5) 外形尺寸：W×H×L=10cm×3.6cm×21cm

凈 重：≤0.3kg