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電波暗室按用途可分為天線圖測(cè)試室、雷達(dá)截面測(cè)試室、電磁兼容(EMC)測(cè)試室、電子戰(zhàn)(對(duì)抗)測(cè)試室。

這是使用較為廣泛的一種電波暗室，對(duì)于一般的電子產(chǎn)品，在其投入市場(chǎng)正式使用前都要進(jìn)行輻射發(fā)射和輻射抗擾度的測(cè)試，以便判斷產(chǎn)品是否可以投入市場(chǎng)，電磁兼容測(cè)試室便可以完成測(cè)試任務(wù)。

模擬實(shí)戰(zhàn)電磁干擾情況下裝備系統(tǒng)的工作狀況。

電波暗室按形狀可分為矩形電波暗室、錐型電波暗室。

目前大部分電波暗室都建造成矩形，標(biāo)準(zhǔn)3m法、5m法和10m法暗室都是指矩形暗室。

這種暗室可以有效的避免側(cè)面、頂面和地面的反射，而這些因素經(jīng)常會(huì)影響矩形電波暗室的性能。矩形電波暗室在低頻(1GHz以下)性能比較差，錐形電波暗室就沒(méi)有這個(gè)缺點(diǎn)。所以它常用來(lái)試驗(yàn)或測(cè)量衛(wèi)星通信以及整個(gè)衛(wèi)星。

按照內(nèi)表面吸波材料的粘貼方式，可將暗室分為半電波暗室、全電波暗室和改進(jìn)型半電波暗室。

半電波暗室是除了地面(接地平板)之外，其余五面都裝有吸波材料的屏蔽室。作為室外開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)地的替代場(chǎng)所，半電波暗室已被國(guó)內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)可，成為應(yīng)用廣泛的EMC測(cè)試場(chǎng)所。但半電波暗室存在自身缺陷，如天線的升降，地平面電磁波反射等引起的測(cè)量值的不穩(wěn)定。半電波暗室被用于EMC輻射發(fā)射和電磁輻射敏感度測(cè)量。主要性能指標(biāo)用歸一化場(chǎng)地衰減(NSA)和測(cè)試面場(chǎng)均勻性(FU)來(lái)衡量。

全電波暗室是內(nèi)表面全部裝有吸波材料的屏蔽室。用來(lái)模擬自由空間的傳播環(huán)境。全電波暗室摒棄了平面大地干涉原理，解決了半電波暗室固有的許多缺陷。同時(shí)由于模擬自由空間，沒(méi)有反射的發(fā)生，不存在干涉模型，對(duì)水平極化、垂直極化的一致性較好；并且不存在3m和10m之爭(zhēng)，有時(shí)候只需3m即可，為電磁兼容測(cè)試提供了一種低造價(jià)、低費(fèi)用、方便高效、靈活準(zhǔn)確的測(cè)試方法。全電波暗室主要用于微波天線系統(tǒng)的參數(shù)測(cè)量。通常用靜區(qū)，反射率電平，交叉極化度，多路徑損耗，幅度均勻性和工作頻率等六項(xiàng)指標(biāo)來(lái)表示。

改進(jìn)型半電波暗室是在接地平板上裝有附加吸波材料的半電波暗室。由于電波暗室不僅是騷擾輻射的測(cè)試場(chǎng)地，也是抗擾度測(cè)試場(chǎng)地。設(shè)備抗擾度(設(shè)備敏感度)測(cè)試時(shí)評(píng)估EUT對(duì)來(lái)自空間的輻射電磁場(chǎng)的抗擾性能，該測(cè)試應(yīng)在電波暗室中進(jìn)行，地面上應(yīng)鋪設(shè)吸波材料。因此，對(duì)于半電波暗室，測(cè)試時(shí)必須把吸波材料補(bǔ)上，使之沒(méi)有反射，這就變成了改進(jìn)型半電波暗室。在測(cè)試輻射發(fā)射時(shí)將吸波材料移走，又還原成半電波暗室。

電波暗室按照尺寸大小可分為超緊縮型預(yù)測(cè)式全波暗室、小實(shí)用尺寸電波暗室、小型電波暗室、3米法電波暗室、5m法電波暗室、10m法電波暗室。