壓力傳感器

傳感器目前應用最為廣泛的壓電材料之一，就是高壓電特性的PZT材料已經被大量應用在了揚聲器、超聲成像探頭、超聲換能器、蜂鳴器和超聲電機等電子器件中。最早人們利用溶膠-凝膠法制備了PZT薄膜，并在MEMS器件中進行實際應用，如驅動器、換能器傳感器。隨著薄膜制備技術的提高，開始涌現出多種制備手段，并且也利用多種技術制備了PZT壓電薄膜，如磁控濺射技術、脈沖激光沉積技術（PLD）、化學氣相沉積（CVD）和金屬化合物氣相沉積技術等。PZT壓電薄膜與非鐵電的ZnO材料相比較，最重要的優點就是PZT材料具有鐵電性，在一定的外加電場和溫度條件下，PZT材料內部電疇發生轉動，自發極化方向重新確定，這樣使得在多晶材料中原本隨機排列的極化軸通過電場的作用取向排列而產生了凈壓電響應。所以PZT材料的壓電性能要高于ZnO材料，是ZnO的兩倍以上。在光電子學、微電子學、微機電系統和集成光學等領域，PZT薄膜已經被廣泛應用。PZT薄膜材料具有高介電常數、低的聲波速度、高的耦合系數，橫向壓電系數和縱向壓電系數在三者之中最高，也被視為三者之中最為有前途的壓電薄膜材料，但是PZT薄膜制備過程復雜，與MEMS工藝兼容性較差，制備過程須嚴格控制各組分的比例，壓電特性受到晶向、成分配比、顆粒度等因素影響，重復制備高質量的PZT薄膜存在較大困難。目前工業界最常采用的壓電材料仍以AlN為主流。
 

壓力傳感器
MDF-2-250+E04+M01
TF-M-PT100-M3 L=250
NT67-XP-VA-2XM12/370-2S-KN-KT
GAW-5
EDS348-5-016-Y00
FPD10N-020GDA01501
MDF-5-025+E05+M01
MTW-9-100+E08+P
MDF-3-025+E04
MDW-3-025+E04+M01
MTF-3-100+E04+P
MTW-9-300+E08+M01+P
MTF-9-100+E08+P
MTW-9-100+E08+M01+P
MDF-5-250+E05+M01
MDF-5-400+E05+M01
MTW-9-100+E08+M01+0
MDF-2-250+E04+M01
MDF-5-025+E05+M01
OLFB-10413-001
EK2-G1/2-VA-M3/300
EK2-G1/2-VA-M3/500