壓力傳感器

傳感器目前應用最為廣泛的壓電材料之一，就是高壓電特性的PZT材料已經(jīng)被大量應用在了揚聲器、超聲成像探頭、超聲換能器、蜂鳴器和超聲電機等電子器件中。最早人們利用溶膠-凝膠法制備了PZT薄膜，并在MEMS器件中進行實際應用，如驅(qū)動器、換能器傳感器。隨著薄膜制備技術(shù)的提高，開始涌現(xiàn)出多種制備手段，并且也利用多種技術(shù)制備了PZT壓電薄膜，如磁控濺射技術(shù)、脈沖激光沉積技術(shù)（PLD）、化學氣相沉積（CVD）和金屬化合物氣相沉積技術(shù)等。PZT壓電薄膜與非鐵電的ZnO材料相比較，最重要的優(yōu)點就是PZT材料具有鐵電性，在一定的外加電場和溫度條件下，PZT材料內(nèi)部電疇發(fā)生轉(zhuǎn)動，自發(fā)極化方向重新確定，這樣使得在多晶材料中原本隨機排列的極化軸通過電場的作用取向排列而產(chǎn)生了凈壓電響應。所以PZT材料的壓電性能要高于ZnO材料，是ZnO的兩倍以上。在光電子學、微電子學、微機電系統(tǒng)和集成光學等領(lǐng)域，PZT薄膜已經(jīng)被廣泛應用。是一種具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的重要III-V族氮化物，其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性高。與ZnO和PZT壓電薄膜相比較，AlN薄膜的壓電響應較低，但是其優(yōu)點在于AlN薄膜的聲波速較高，這就使得AlN薄膜可以用來制備高頻下如GHz的濾波器件和高頻諧振器等。此外，AlN壓電薄膜是一種很好的高溫材料，因為AlN材料的壓電性在溫度為1200℃時依舊良好，所以AlN壓電薄膜器件能夠適應高溫環(huán)境，該薄膜材料還具有很高的化學穩(wěn)定性，在腐蝕性工作環(huán)境下薄膜器件依舊能夠正常工作而不受影響。AlN材料還具有良好的熱傳導性能，在器件工作時會及時將產(chǎn)生的熱量傳導出去，不會因為產(chǎn)熱過多而減少器件的使用壽命。由于AlN薄膜材料的多方面性能優(yōu)點使其得到了相應的應用。
 

壓力傳感器
MTW-9-100+E08+M01+0
TF-M-PT100-M3 L=250
NT67-XP-VA-2XM12/370-2S-KN-KT
GAW-5
EDS348-5-016-Y00
FPD10N-020GDA01501
MDF-5-025+E05+M01
MTW-9-100+E08+P
MDF-3-025+E04
MDW-3-025+E04+M01
MTF-3-100+E04+P
MTW-9-300+E08+M01+P
MTF-9-100+E08+P
MTW-9-100+E08+M01+P
MDF-5-250+E05+M01
MDF-5-400+E05+M01
MTW-9-100+E08+M01+0
MDF-2-250+E04+M01
MDF-5-025+E05+M01
OLFB-10413-001
EK2-G1/2-VA-M3/300
EK2-G1/2-VA-M3/500