1.背景

當(dāng)我們?cè)趯?duì)電子樣品做切片分析時(shí)，有時(shí)會(huì)遇到如下圖這樣的劃痕。

圖1. 電子樣品上錫球拋光后劃痕

如上圖所示的劃痕是我們?cè)谶M(jìn)行3 µm金剛石拋光液細(xì)拋時(shí)留下的。盡管3 µm的劃痕已經(jīng)很小了，但這些劃痕會(huì)覆蓋觀察目標(biāo)（IMC層、邊界結(jié)構(gòu)），不滿(mǎn)足觀察要求。為了去除這些劃痕，還原樣品內(nèi)部最真實(shí)的顯微組織結(jié)構(gòu)，需要選擇合適的終拋拋光液進(jìn)行劃痕去除。

2.終拋拋光液

針對(duì)電子樣品，常規(guī)的終拋拋光液有0.02 µm-1 µm粒徑的氧化鋁拋光液、二氧化硅拋光液等可以選擇。

要對(duì)最終拋光液做出正確的選擇，我們首先要了解，氧化鋁拋光液和二氧化硅拋光液的特性和區(qū)別。

1.MasterPrep 氧化鋁拋光液

MasterPrep 氧化鋁拋光液是一種近中性的拋光液，具有像金剛石一樣的多面型顆粒結(jié)構(gòu)。

特點(diǎn)

• 純粹機(jī)械拋光的方式去除材料

• 較適合鑄鐵、鋼、不銹鋼、銅、聚合物、 礦物、微電子、貴重金屬

• 不易團(tuán)聚

• 8.5 pH

• 0.05 µm粒徑

2.MasterMet 2 二氧化硅拋光液

MasterMet 2 二氧化硅拋光液與氧化鋁不同，氧化硅是球形顆粒，主要通過(guò)高PH值對(duì)樣品表面進(jìn)行微溶解并通過(guò)顆粒滾動(dòng)的方式清理樣品表面。

特點(diǎn)

• 利用化學(xué)反應(yīng)生成反應(yīng)層，然后利用機(jī)械方式去 除反應(yīng)層

• 較適合鋁合金、難熔金屬、微電子中的硅、陶瓷

• 非結(jié)晶拋光液

• 10.5 pH

• 0.02 µm

3.效果對(duì)比

A）氧化鋁拋光液效果圖  B）二氧化硅拋光液效果圖

(1)氧化鋁拋光為機(jī)械式，樣品表面平整，有利于觀察孔隙、裂紋等缺陷或鍍層測(cè)量；適合一些需要觀察表面結(jié)構(gòu)的材料，適合鑄鐵、鋼、聚合物、礦物、微電子的缺陷分析、貴重金屬。

(2)二氧化硅拋光為化學(xué)+機(jī)械，有微腐蝕的效果，有利于觀察微觀組織結(jié)構(gòu)，擴(kuò)散層分析；適合硬度高、韌性大、易出劃痕的樣品，比如陶瓷、鋁合金、鈦合金、難熔金屬、微電子中的硅。

3.總結(jié)
通過(guò)上述顯微觀察圖對(duì)比可知，針對(duì)電子樣品中錫球的結(jié)構(gòu)觀察，終拋工序的拋光液選擇氧化鋁拋光液更合適，而二氧化硅拋光液會(huì)對(duì)錫球表面產(chǎn)生腐蝕，影響觀察。
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