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目錄:奧譜天成(廈門)光電有限公司>>熒光光譜儀>> ATT1100--雪崩二極管(APD)--激光測距用

ATT1100--雪崩二極管(APD)--激光測距用
  • ATT1100--雪崩二極管(APD)--激光測距用
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  • 所在地 廈門市
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更新時間:2024-02-22 15:32:23瀏覽次數:1511評價

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ATT1100--雪崩二極管(APD)--激光測距用
ATT1000是專門為激光測距優化設計的雪崩二極管(APD),具有高速響應、高增益、低結電容、低噪聲的特點,非常適合激光測距、雷達等應用。

ATT1100--雪崩二極管(APD)--激光測距用 

ATT1000是專門為激光測距優化設計的雪崩二極管(APD),具有高速響應、高增益、低結電容、低噪聲的特點,非常適合激光測距、雷達等應用。

 

ATT1100--雪崩二極管(APD)--激光測距用 

特征:

l  高速響應、高增益、低結電容、低噪聲

l  正照平面型芯片結構

l  230μm、500μm光敏面可選

l  陶瓷貼片封裝

l  內置濾波片(635nm窄帶)和白玻窗可選

 

典型應用:

l  激光測距

l  激光告警

l  激光雷達

1       zui大額定值

參數名稱

符號

zui小值

zui大值

單位

工作溫度

TOP

-20

85

儲存溫度

Tstg

-55

125

工作電壓

Vop

 

0.9×VBR

V

焊接溫度

Stemp

 

260

耗散功率

  

1

mW

正向電流

  

1

mA

2       光電性能(@Tc=22±3℃)

特性參數

符號

測試條件

zui小

典型

zui大

單位

光譜響應范圍

λ

4001100

nm

光敏面直徑

φ

2001)、5002

μm

響應度

Re

λ=800nm,φe=1μW, M=1

 

0.5

 

A/W

響應時間

tS

f=1MHz,RL=50Ω,λ=800nm

 

0.3

 

ns

暗電流

ID

M=100

0.021

0.051

0.41

nA

0.052

0.12

0.52

總電容

Ctot

M=100,f=1MHz

 

1.51

 

pF

 

32

 

zui適宜的放大倍數

M

  

100

  

反向擊穿電壓

VBR

IR=10uA

80

 

200

V

工作電壓溫度系數

δ

Tc=-40℃85℃

 

0.51

 

V/℃

 

0.5(2)

 

 

注:

(1)       為光敏面φ230μm器件之參數

(2)       為光敏面φ500μm器件之參數

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