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更新時(shí)間：2024-04-16 16:49:34
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ALPES QCL量子級(jí)聯(lián)激光器
ALPES量子級(jí)聯(lián)激光激光器QCL使用量子阱異質(zhì)結(jié)構(gòu)來(lái)控制半導(dǎo)體中發(fā)射的光子的能量，而不是更常見和更高能量的帶間躍遷，這一想法是由R.F. Kazarinov和R.A. Suris在1971年提出的。這種量子級(jí)聯(lián)激光器QCL的實(shí)驗(yàn)演示是在1994年由Jér?me Faist、Federico Capasso、Deborah Sivco、Carlo Sirtori、Albert Hutchinson和Alfred Cho在貝爾實(shí)驗(yàn)室完成的。
1998年，Antoine Müllerr和Matthias Beck在瑞士納沙泰爾創(chuàng)立了ALPES LASER，創(chuàng)始人是Jér?me Faist，他當(dāng)時(shí)是Neuchatel大學(xué)的教授，現(xiàn)在是在ETH Zürich。當(dāng)時(shí)，ALPES LASER是di一家在市場(chǎng)上提供量子級(jí)聯(lián)激光器的公司，該公司通過(guò)在2001年商業(yè)化di一個(gè)連續(xù)波激光器和在2009年商業(yè)化di一個(gè)寬增益激光器。
當(dāng)前，ALPES LASER提供多種多樣的量子級(jí)聯(lián)激光器，并提供各種封裝和驅(qū)動(dòng)，充分滿足您的特殊應(yīng)用需求。
1. 單模DFB激光管：
ALPES單模DFB量子級(jí)聯(lián)激光管一次只能發(fā)射一個(gè)波長(zhǎng)。它的可調(diào)范圍可達(dá)10cm-1，ALPES量子級(jí)聯(lián)激光激光器QCL基于不同的應(yīng)用目的，可以提供多種調(diào)制方案。DFB量子級(jí)聯(lián)激光管主要應(yīng)用領(lǐng)域是光譜學(xué)。
CW-DFB激光管800cm-1-2320cm-1
脈沖DFB激光管700cm-1-2350cm-1
制冷DFB激光管645cm-1-2370cm-1
2. Interband Cascade Lasers帶間級(jí)聯(lián)激光管ICL：
帶間級(jí)聯(lián)激光器(ICL)是一種發(fā)射范圍在2.7-3.9um范圍內(nèi)的中紅外光源，對(duì)于碳?xì)浠衔锖推渌信d趣的氣體的檢測(cè)尤為重要。與傳統(tǒng)的QCL相比，具有更低的耗散，除了標(biāo)準(zhǔn)TO3和HHL外，一些ICL激光器可在TO-66外殼中使用。ICL-DFB激光器是單模激光器，一次可以發(fā)射一個(gè)波長(zhǎng)。它們可以在通常10cm-1的范圍內(nèi)調(diào)諧,提供多種調(diào)制方案，DFB激光器主要用于光譜學(xué)。它們目前可選頻率為2853cm-1、2898cm-1、2913cm-1和2946cm-1(分別為3505 nm、3450 nm、3433 nm和3394nm)。
ICL器件基于與QCL不同的設(shè)計(jì)原則，這導(dǎo)致了一些技術(shù)上的差異。主要的區(qū)別是，電流、電壓和功耗要低得多，這使得在較小的封裝和系統(tǒng)中易于集成。輸出通常也更低。發(fā)射的光也是線偏振的TE偏振，在HHL封裝中，這轉(zhuǎn)化為水平偏振。
3.寬增益QCL激光管：
| Type | Typ. Spectral Range | Power |
|---|---|---|
| BG-5.5-6.2 | 1670-1780 cm-1 | >50 mW |
| BG-6.2-7.4 | 1380-1600 cm-1 | >30 mW |
| BG-7.4-9.7 | 1090-1280 cm-1 | >80 mW |
| BG-9.7-13.1 | 800-980 cm-1 | >5 mW |
| P-FP-6.3 | 1560-1620 cm-1 | >50 mW |
| BG-CW-5.9-6.2 | 1640-1700 cm-1 | >100 mW |
| FP-CW-6.3 | 1530-1585 cm-1 | >100 mW |
4.FP-QCL法珀量子級(jí)聯(lián)激光管
FP-QCLs法珀量子級(jí)聯(lián)激光管可在室溫下工作。其發(fā)射波長(zhǎng)與DFB QCL相同。即從740 cm-1到2390 cm-1，具有相似的閾值電流和電壓。溫度的變化對(duì)發(fā)射帶寬的影響很小，發(fā)射帶寬主要由供電電流決定。FP -QCL適用于可接受的寬帶發(fā)射，例如在液體光譜、高功率發(fā)射源中，當(dāng)不需要信號(hào)純度或使用帶有外部腔的QCL時(shí)。我們的庫(kù)存中有大量的脈沖或連續(xù)波FP激光器可供選擇，所以請(qǐng)根據(jù)上述參數(shù)向我們提交您的規(guī)格。通過(guò)這種方式，我們可以向您推薦蕞適合您的應(yīng)用程序的QCL。
5.高功率QCL激光管
高功率QCL激光器目前可在以下中心波長(zhǎng)，蕞小平均功率為1W:
3.95um
4.55um
4.65um
4.90um
9.70um
6.高功率脈沖QCL激光管
高功率脈沖量子級(jí)聯(lián)激光器被優(yōu)化為發(fā)射從20ns到1000ns的短脈沖，蕞小峰值功率為20 W，或~5uJ每個(gè)脈沖。這些激光器可用于自由空間光通信，激光雷達(dá)應(yīng)用和紅外對(duì)抗。
| Electro-optical Characteristic | Abb. | Min. | Typ. | Max. | Note |
|---|---|---|---|---|---|
| Peak Power | PP | 20W | 25W | 30W | |
| Output Spectrum | - | Multimode | |||
| Spectral Width | SW | 50 cm-1 | 100 cm-1 | 150 cm-1 | |
| Duty Cycle | DC | 0 | 1% | 20% | |
| Central Wavelength | CWL | 4.57 um | |||
| Wall-Plug Efficiency | WPE | 5% | |||
| Beam Shape | BSH | Single-lobed | |||
| Horizontal Beam Divergence of laser chip | HD | 50 mrad | 90 mrad | 120 mrad | 1 |
| Vertical Beam Divergence of laser chip | VD | 650 mrad | 1 | ||
| Pulse Width | PW | 20 ns | 300 ns | 1000 ns | |
| Submount | SM | AN-NSP | 2 | ||
| Driver | D | S-2 | 3 | ||
| Heatsink Cooling capacity | - | 25W | 35W | 65W |
7.擴(kuò)展可調(diào)諧QCL激光器
擴(kuò)展可調(diào)諧QCL激光器ALPES LASER提供兩種類型的擴(kuò)展調(diào)諧激光器，這兩種設(shè)備都允許在固定溫度下比標(biāo)準(zhǔn)DFB激光器更寬的范圍內(nèi)快速調(diào)諧。QC-ET(此處描述)允許*連續(xù)調(diào)諧超過(guò)0.4%的中心波長(zhǎng)，而QC-XT允許分段連續(xù)調(diào)諧超過(guò)2%的中心波長(zhǎng)。
8.太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器
太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器的工作范圍為1 ~ 5太赫茲。相干極化太赫茲輻射是半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)導(dǎo)帶內(nèi)電子直接受激光躍遷的結(jié)果。
| Central Frequency | Central Frequency | Peak Power |
|---|---|---|
| 1.3 THz | 45 cm-1 | > 0.1 mW |
| 1.8 THz | 60 cm-1 | > 0.1 mW |
| 2.3 THz | 78 cm-1 | > 0.5 mW |
| 3 THz | 100 cm-1 | > 5 mW |
| 4 THz | 133 cm-1 | > 5 mW |
| 4.7 THz | 160 cm-1 | > 1 mW |
11.短波紅外激光管
| Central Wavelength | Max. Power |
|---|---|
| 1450 nm | 30 mW |
| 1470 nm | 50 mW |
| 1550 nm | 30 mW |
| 1630 nm | 50 mW |
| 1650 nm | 50 mW |
| 1730 nm | 30 mW |
| 1740 nm | 40 mW |
| 1830 nm | 50 mW |
| 1890 nm | 50 mW |
| 2080 nm | 20 mW |
| 2100 nm | 10 mW |
| 2150 nm | 50 mW |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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