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產品簡介
CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片，此二維銦鉀砷面陣探測器的響應波段為900-1700nm，目前可做到320x256和640x512陣列。此陣列探測器利用覆晶裝訂技術可以使其與讀出電路緊密結合，同時采用LCC及Kovar氣密封裝，且表面鍍有抗反射膜。同時，我們可以根據客戶的需求定制封裝不同的產品。
詳細介紹
CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片，此二維銦鉀砷面陣探測器的響應波段為900-1700nm，目前可做到320x256和640x512陣列。此陣列探測器利用覆晶裝訂技術可以使其與讀出電路緊密結合，同時采用LCC及Kovar氣密封裝，且表面鍍有抗反射膜。同時，我們可以根據客戶的需求定制封裝不同的產品。
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1.1、FPA-320x256InGaAs Imager（0.9um-1.7um）
CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片，此InGaAs焦平面陣列是應用在900nm-1700nm的近紅外成像和成像光譜技術，尤其是在非制冷條件下的優化解決方案，CLPT的核心技術是實現優良品質的InGaAs焦平面陣列，CLCC封裝也便于CCD與CMOS數碼相機制造商的機械設計。CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片
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zui大額定值
參數 | 單位 | zui小值 | zui大值 |
工作溫度范圍 | ℃ | -20 | 85 |
儲存溫度范圍 | ℃ | -40 | 85 |
功耗 | mW | --- | 175 |
FPA特性
參數 | 典型值 | 條件 |
光譜響應 | 0.9um-1.7um | --- |
zui小像素的可操作性 | >99% | 318*254內的中心地區 |
暗電流 | <0.4PA | 25℃,0.1V 探測器偏壓 |
量子效率 | >70% | λ=1.0um-1.6um |
探測率 | ≥5*1011Jones | 25℃, λ=1.55um,T=16ms,高增益 |
響應非均勻性 | <10% | 飽和度低于50%,25℃ |
非線性(zui大偏差) | <2% | 超過10%-90%滿阱容量 |
zui大像素率 | 10MHz | --- |
增益 | High:14.38uV/e- Low:0.77 uV/e- | 25℃ |