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局部放電產生的原因

2017-12-13 閱讀(2342)

GIS局部放電的研究

1.2 局部放電產生的原因

GIS中有可能出現的主要絕緣缺陷如圖所示,可以總結為以下幾個方面。

 

GIS中幾種缺陷示意圖

 

(1)固定缺陷:不僅包括了位于外殼表面和導體之上的金屬突起,還包括了在固體絕緣的一些微粒,對前者來說,它主要是在制作過程、安裝過程中產生,由于制造不良或擦劃導致的較為尖銳的毛刺。如果工頻狀態是較為穩定的,那么這些缺陷不會發生擊穿現象,不過,如果是諸如快速暫態過電壓和沖擊等快速電壓的情況,那么極有可能會發生擊穿現象;

 

(2)位于GIS腔體內,并且能夠進行自由移動的金屬微粒,GIS在制造和裝配以及運行過程中都會產生一定的金屬微粒,這是非常常見的,這些微粒能夠對電荷進行一定的積累。如果所處的電壓場是交流的,那么這些微粒就能夠產生移動,不過無論是移動過程,還是放電過程,都是隨機發生的。這些微粒zui可能發生放電的情況就是在它們十分靠近高壓導體,不過并沒有發生接觸,和導體上固定的微粒相比,這種放電的可能性要高出至少10倍;

 

(3)傳導部分出現了不良的接觸,諸如浮動部件,或者是靜電屏蔽等問題,對于那些浮動或者松動的部件來說,它們極有可能會發生放電現象,其檢測起來相對比較容易,并且會出現反復的放電;

 

(4)在生產和制造過程中,絕緣子出現了內部空隙或者表面的痕跡,后者是由于實驗閃絡所導致的,也包括了電極表面所存在的粗糙,以及嵌入的一些金屬微粒,不僅如此,由于對金屬電極和環氧樹脂具有不同的收縮系數,所以也會產生一定的空隙和氣泡。

 

以上所說的GIS的絕緣體所存在的缺陷,極有可能會發生局部放電,如果發生了這種局部放電,那么絕緣材料會被腐蝕,甚至會變成電樹枝,zui終會使整個絕緣體被擊穿。



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