定制二維二硫化鉬MoS2納米復合材料

二硫化鉬具有1T MoS2、1H MoS2、2H MoS2和3R MoS2多種晶體結構。半導體性2H相二硫化鉬的電導率低(10?4 S/cm)。雖然金屬性1T相二硫化鉬具有較好的電容器性能(質量比電容350-400 F/g, 體積比電容400-700 F/cm3, 但1T MoS2是熱力學亞穩相，制備較為困難，其電導率(10?100 S/cm)比碳材料(1000 S/cm或更高)低1-2個數量級。此外，二硫化鉬納米片之間易堆疊，目前大多數二硫化鉬基電容器都表現出相對較低的質量比電容或體積比電容。1T和2H MoS2在負極化下分別表現出14.9 μF/cm2和1.39 μF/cm2的固有電容值。 

定制二維二硫化鉬MoS2納米復合材料

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