MoS2/Graphene二硫化鉬/石墨烯異質(zhì)結(jié)薄膜
西安齊岳生物科技有限公司是做二維材料的供應(yīng)商；2020年新研究出了一系列的異質(zhì)結(jié)材料：WS2/Graphene、MoS2/WS2/hBN/Graphene、MoSe2/GrapheneWSe2/GraphenePtSe2/GrapheneReS2/GrapheneReSe2/GrapheneSnS2/Graphene?等材料,(SiO2/Si基底、石英基底、PET基底、藍寶石基底可選)。
MoS2/Graphene二硫化鉬/石墨烯異質(zhì)結(jié)薄膜
報道了通過石墨烯表面直接電鍍硫化鉬制備垂直異質(zhì)結(jié)的電化學(xué)方案。作者巧妙地運用CVD石墨烯的性質(zhì)：（1）高導(dǎo)電性，（2）表面原子級平整，（3）化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，（4）真空等，將其直接作為導(dǎo)電電極，經(jīng)過在的四硫代鉬酸銨水溶液中的電鍍以及退火過程，成功研制出大面積、的MoS2/graphene垂直異質(zhì)結(jié)，并表現(xiàn)出的物理性質(zhì)。通過調(diào)控石墨烯電極的極性（作為陽極或陰極）、電解質(zhì)濃度、電鍍時間以及電鍍電流等關(guān)鍵性參數(shù)，該研究團隊實現(xiàn)了石墨烯表面的MoS2厚度從數(shù)納米到數(shù)百納米的連續(xù)可控。與此同時，作者通過X射線光電子能譜(XPS)對整個制備流程中Mo與S元素的化學(xué)價態(tài)以及結(jié)構(gòu)變化進行了系統(tǒng)的跟蹤分析，進而揭示了其生長機制。
相關(guān)產(chǎn)品:
| 二硫化鉬/石墨烯異質(zhì)結(jié)薄膜 | MoS2/Graphene |
| 二硫化鎢/石墨烯異質(zhì)結(jié)薄膜 | WS2/Graphene |
| 二硒化鉬/石墨烯異質(zhì)結(jié)薄膜 | MoSe2/Graphene |
| 二硒化鎢/石墨烯異質(zhì)結(jié)薄膜 | WSe2/Graphene |
| 二硒化鉑/石墨烯異質(zhì)結(jié)薄膜 | PtSe2/Graphene |
| 二硫化錸/石墨烯異質(zhì)結(jié)薄膜 | ReS2/Graphene |
| 二硒化錸/石墨烯異質(zhì)結(jié)薄膜 | ReSe2/Graphene |
| 二硫化錫/石墨烯異質(zhì)結(jié)薄膜 | SnS2/Graphene |
| 二硒化錫/石墨烯異質(zhì)結(jié)薄膜 | SnSe2/Graphene |
| MX2/hBN | MX2/hBN |
| 二硫化鉬/氮化硼異質(zhì)結(jié)薄膜 | MoS2/hBN |
| 二硫化鎢/氮化硼異質(zhì)結(jié)薄膜 | WS2/hBN |
| 二硒化鉬/氮化硼異質(zhì)結(jié) | MoSe2/hBN |
| WSe2/hBN | WSe2/hBN |
| 二硒化鉑/氮化硼異質(zhì)結(jié) | PtSe2/hBN |
| 二硫化錸/氮化硼異質(zhì)結(jié) | ReS2/hBN |
| 二硒化錸/氮化硼異質(zhì)結(jié) | ReSe2/hBN |
| 二硒化錫/氮化硼異質(zhì)結(jié) | SnS2/hBN |
| 二硒化錫/氮化硼異質(zhì)結(jié) | SnSe2/hBN |
| MX2/MX2/hBN/Graphene | MX2/MX2/hBN/Graphene |
| 二硫化鉬/二硫化鎢異質(zhì)結(jié) | MoS2/WS2 |
| 二硫化鉬/二硒化鎢異質(zhì)結(jié) | MoS2/WSe2 |
| 二硫化鉬/二硒化鉬異質(zhì)結(jié) | MoS2/MoSe2 |
| 二硫化鎢/二硒化鎢異質(zhì)結(jié) | WS2/WSe2 |
| 二硫化鉬/二硫化鎢/石墨烯異質(zhì)結(jié) | MoS2/WS2/MoS2/WS2 |
| 二硫化鉬/氮化硼/石墨烯異質(zhì)結(jié) | MoS2/hBN/Graphene |
| 二硫化鉬/二硫化鎢/氮化硼/石墨烯異質(zhì)結(jié) | MoS2/WS2/hBN/Graphene |
供應(yīng)商：西安齊岳生物科技有限公司
溫馨提示：西安齊岳生物提供的熒光標記物、mof材料、碳納米管、納米材料、嵌段共聚物、載藥脂質(zhì)體（擁有大學(xué)實驗室的科學(xué)研究不用于人體及科研研究）（zhn2020.05.13）
化工儀器網(wǎng)