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PULSELAS®-P 系列亞納秒被動調Q脈微芯片固體激光器

屹持光電光電為您提供1064納米、被動式調Q、脈寬小于1ns的優質TEM₀₀的

PULSELAS®-P 系列亞納秒被動調Q脈微芯片固體激光器

屹持光電光電為您提供1064納米、被動式調Q、脈寬小于1ns的優質TEM₀₀的脈沖激光器。PULSELAS-P系列產品采用高性能微芯片設計，單色激光諧振腔將*性的保持在校準狀態，為您提供超*的穩定性。

高功率模塊能提供大于1.5mJ的脈沖能量，由于小于1ns的脈寬，峰值功率可大于1.5MW。不同的模塊為您提供zui高100kHz的重復頻率以100mW至1W的平均功率。內置頻率發生器和外置TTL觸發功能是大部分款式的標準功能。綠光（532nm）和紫外光（355nm，266nm）為可選配置。

高性能的微芯片設計是OEM工業應用的上佳選擇。緊湊的設計幾乎是用于所有的集成化系統。可選的光纖泵浦提供了更高的集成度和自由度。

Fig1.

PULSELAS®-P 系列亞納秒被動調Q脈微芯片固體激光器

屹持光電光電為您提供1064納米、被動式調Q、脈寬小于1ns的優質TEM₀₀的脈沖激光器。PULSELAS-P系列產品采用高性能微芯片設計，單色激光諧振腔將*性的保持在校準狀態，為您提供超*的穩定性。

高功率模塊能提供大于1.5mJ的脈沖能量，由于小于1ns的脈寬，峰值功率可大于1.5MW。不同的模塊為您提供zui高100kHz的重復頻率以100mW至1W的平均功率。內置頻率發生器和外置TTL觸發功能是大部分款式的標準功能。綠光（532nm）和紫外光（355nm，266nm）為可選配置。

高性能的微芯片設計是OEM工業應用的上佳選擇。緊湊的設計幾乎是用于所有的集成化系統。可選的光纖泵浦提供了更高的集成度和自由度。

Fig1.亞納秒被動調Q微芯片激光器

產品特性：

被動式調Q                                                       高集成度

特制微芯片設計                                                1064nm亞納秒脈沖

峰值功率1.5MW                                                脈沖能量1.5mJ

重復頻率高達100kHz                                         平均功率1W

低時間誤差外部觸發器                                      可倍頻為532nm、355nm、266nm（可選）

可訂制946nm和1342nm

應用：

材料處理                                                          微加工

超硬材料雕刻、打標                                           非線性光學研究

超連續譜產生                                                    時間域熒光測量

DNA分析                                                          激光雷達和激光測距

污染監控                                                          內燃機點火系統

激光誘導擊穿光譜儀

技術參數

注釋：

因為內部激光動力學的可能出現，超過3-5kHz二元/多元振幅特征。交替振幅有10-20%的跳躍。每種脈沖類型穩定性都好于1rms。

1.可選擇的外部觸發功能和可達到5kHz的內部頻率產生器

2.標準功能的內部及外部觸發器

3.高能量和高功率模式。光纖泵浦激光頭。內置激光二極管LDF-30-P帶驅動器光纖耦合激光二極管。

4.光纖泵浦激光頭尺寸為? 20×40 mm

所有的型號都具有532,355和266nm的二倍、三倍和四倍倍頻選項。

產品特性：

被動式調Q                                                       高集成度

特制微芯片設計                                                1064nm亞納秒脈沖

峰值功率1.5MW                                                脈沖能量1.5mJ

重復頻率高達100kHz                                         平均功率1W

低時間誤差外部觸發器                                      可倍頻為532nm、355nm、266nm（可選）

可訂制946nm和1342nm

應用：

材料處理                                                          微加工

超硬材料雕刻、打標                                           非線性光學研究

超連續譜產生                                                    時間域熒光測量

DNA分析                                                          激光雷達和激光測距

污染監控                                                          內燃機點火系統

激光誘導擊穿光譜儀

技術參數

注釋：

因為內部激光動力學的可能出現，超過3-5kHz二元/多元振幅特征。交替振幅有10-20%的跳躍。每種脈沖類型穩定性都好于1rms。

1.可選擇的外部觸發功能和可達到5kHz的內部頻率產生器

2.標準功能的內部及外部觸發器

3.高能量和高功率模式。光纖泵浦激光頭。內置激光二極管LDF-30-P帶驅動器光纖耦合激光二極管。

4.光纖泵浦激光頭尺寸為? 20×40 mm

所有的型號都具有532,355和266nm的二倍、三倍和四倍倍頻選項。

。PULSELAS-P系列產品采用高性能微芯片設計，單色激光諧振腔將*性的保持在校準狀態，為您提供超*的穩定性。

高功率模塊能提供大于1.5mJ的脈沖能量，由于小于1ns的脈寬，峰值功率可大于1.5MW。不同的模塊為您提供zui高100kHz的重復頻率以100mW至1W的平均功率。內置頻率發生器和外置TTL觸發功能是大部分款式的標準功能。綠光（532nm）和紫外光（355nm，266nm）為可選配置。

高性能的微芯片設計是OEM工業應用的上佳選擇。緊湊的設計幾乎是用于所有的集成化系統。可選的光纖泵浦提供了更高的集成度和自由度。

Fig1.亞納秒被動調Q微芯片激光器

產品特性：

被動式調Q                                                       高集成度

特制微芯片設計                                                1064nm亞納秒脈沖

峰值功率1.5MW                                                脈沖能量1.5mJ

重復頻率高達100kHz                                         平均功率1W

低時間誤差外部觸發器                                      可倍頻為532nm、355nm、266nm（可選）

可訂制946nm和1342nm

應用：

材料處理                                                          微加工

超硬材料雕刻、打標                                           非線性光學研究

超連續譜產生                                                    時間域熒光測量

DNA分析                                                          激光雷達和激光測距

污染監控                                                          內燃機點火系統

激光誘導擊穿光譜儀

技術參數

注釋：

因為內部激光動力學的可能出現，超過3-5kHz二元/多元振幅特征。交替振幅有10-20%的跳躍。每種脈沖類型穩定性都好于1rms。

1.可選擇的外部觸發功能和可達到5kHz的內部頻率產生器

2.標準功能的內部及外部觸發器

3.高能量和高功率模式。光纖泵浦激光頭。內置激光二極管LDF-30-P帶驅動器光纖耦合激光二極管。

4.光纖泵浦激光頭尺寸為? 20×40 mm

所有的型號都具有532,355和266nm的二倍、三倍和四倍倍頻選項。