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化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)MPCVD具有什么普遍的特點(diǎn)
微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)MPCVD爐，通過(guò)等離子增加前驅(qū)體的反應(yīng)速率，降低反應(yīng)溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結(jié)晶形態(tài)好的高質(zhì)量硬質(zhì)薄膜和晶體。
化學(xué)氣相沉積法之所以得到發(fā)展，是和它本身的特點(diǎn)分不開(kāi)的，其特點(diǎn)如下：
1、沉積物種類(lèi)多: 可以沉積金屬薄膜、非金屬薄膜，也可以按要求制備多組分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物層。
2、CVD反應(yīng)在常壓或低真空進(jìn)行，鍍膜的繞射性好，對(duì)于形狀復(fù)雜的表面或工件的深孔、細(xì)孔都能均勻鍍覆。
3、能得到純度高、致密性好、殘余應(yīng)力小、結(jié)晶良好的薄膜鍍層。
4、由于薄膜生長(zhǎng)的溫度比膜材料的熔點(diǎn)低得多，由此可以得到純度高、結(jié)晶*的膜層，這是有些半導(dǎo)體膜層所必須的。
5、利用調(diào)節(jié)沉積的參數(shù)，可以有效地控制覆層的化學(xué)成分、形貌、晶體結(jié)構(gòu)和晶粒度等。
6、設(shè)備簡(jiǎn)單、操作維修方便。
7、反應(yīng)溫度太高，一般要850-1100℃下進(jìn)行，許多基體材料都耐受不住CVD的高溫。采用等離子或激光輔助技術(shù)可以降低沉積溫度。
化學(xué)氣相沉積法之所以得到發(fā)展，是和它本身的特點(diǎn)分不開(kāi)的，其特點(diǎn)如下：
1、沉積物種類(lèi)多: 可以沉積金屬薄膜、非金屬薄膜，也可以按要求制備多組分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物層。
2、CVD反應(yīng)在常壓或低真空進(jìn)行，鍍膜的繞射性好，對(duì)于形狀復(fù)雜的表面或工件的深孔、細(xì)孔都能均勻鍍覆。
3、能得到純度高、致密性好、殘余應(yīng)力小、結(jié)晶良好的薄膜鍍層。
4、由于薄膜生長(zhǎng)的溫度比膜材料的熔點(diǎn)低得多，由此可以得到純度高、結(jié)晶*的膜層，這是有些半導(dǎo)體膜層所必須的。
5、利用調(diào)節(jié)沉積的參數(shù)，可以有效地控制覆層的化學(xué)成分、形貌、晶體結(jié)構(gòu)和晶粒度等。
6、設(shè)備簡(jiǎn)單、操作維修方便。
7、反應(yīng)溫度太高，一般要850-1100℃下進(jìn)行，許多基體材料都耐受不住CVD的高溫。采用等離子或激光輔助技術(shù)可以降低沉積溫度。