18926463275
當前位置：> 供求商機> GaSe晶體, AGSe晶體, CdSe晶體
GaSe晶體, AGSe晶體, CdSe晶體
非線性晶體，GaSe晶體, AGSe晶體, CdSe晶體
硒化鎵（GaSe）是一種六邊形晶體，主要用于遠紅外波段的二次諧波產生。硒化鎵具有極低的莫氏硬度，使其非常脆弱，消除了應用機械處理或涂層的可能性。3photon可以提供沿光軸Z切割的氣體晶體。
大的非線性光學（NLO）系數使得AGSe成為非線性光學（NLO）應用中常用的紅外晶體之一。與AGS相比，硒鋁酸銀（AGSe）具有紅外吸收系數低、熔點低等優點。
近年來，人們采用了幾種晶體生長方法來生長CdSe單晶和多晶材料。化學氣相輸運、固態再結晶、溫度梯度溶液區生長、高壓垂直區熔是獲得高質量CdSe晶體的主要方法。3photon可以隨時為晶體生長提供專業建議。CdSe拋光后，可根據要求對材料進行涂層處理。內部涂層由經驗豐富的涂層工程師進行建模和沉積。
GaSe晶體特點：
- GaSe是非常軟的材料，不能進行拋光或涂層程序；
-透明度范圍：900-16000nm；
-只能在一個平面（001）上切割；
-由于高折射率和可用的方向限制，只能使用較小的θ角；
-較便宜的替代AGS或AGSe，可產生2400 nm–20000 nm或太赫茲輸出。
GaSe晶體典型應用：
-GaSe適合電子和光學應用:
高功率飛秒激光器；
太赫茲（THz）產生；
寬帶中紅外（MIR）電磁波產生的替代方案；
在中紅外（MIR）中產生二次諧波（SHG），用于CO、CO2、染料激光器等。；
上轉換：紅外（IR）到近紅外（NIR）范圍；
光學參量產生（OPG）在3–16µm范圍內。
AGSe晶體特點：
-最寬的3光子紅外晶體的透明度范圍從1100納米到18微米；
-大的非線性光學（NLO）系數（deff=~27-33 pm/V）；
-寬光譜和角度接受；
-生長過程復雜，價格昂貴；
-非線性大約是AGS的2-3倍；
-高損傷閾值涂層可用于中紅外（MIR）和紅外（IR）范圍。
AGSe晶體典型應用：
-CO（5-6μm）和CO2（10.6μm）激光系統的有效二次諧波產生（SHG）；
-Ho:YLF（2050nm）泵浦的光學參量振蕩器（OPO），輸出可調范圍為2.5～12μm；
-中紅外和遠紅外區域的不同頻率發生器，其紅外截止波長約為18µm；
-作為ZGP晶體的替代品，OPA為2.09μm->3-5μm；
-在第二階段（在OPO以800 nm泵浦后）以產生7-20μm的更長波長。
CdSe晶體特點：
-低光吸收。
-寬帶特定傳輸范圍：2.5μm至16μm。
CdSe晶體典型應用：
-紅外偏振光學：紅外偏振器和紅外波片。
-紅外光學元件，如紅外分束器、紅外二色反射鏡和紅外窗口。
-納米顆粒（如納米AWS、納米管和納米線）。
-光學參量發生器（OPG）。
-光學參量振蕩器。
-DFM變頻器。
GaSe晶體, AGSe晶體, CdSe晶體
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
以上信息由企業自行提供，信息內容的真實性、準確性和合法性由相關企業負責，化工儀器網對此不承擔任何保證責任。
溫馨提示：為規避購買風險，建議您在購買產品前務必確認供應商資質及產品質量。
