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熱電冷卻InGaAs探測器 波長950-1650nm

參  考  價面議
具體成交價以合同協議為準

產品型號DAPD-TO8

品       牌其他品牌

廠商性質代理商

所  在  地深圳市

更新時間:2024-08-15 16:41:54瀏覽次數:243次

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供貨周期 一個月 應用領域 綜合
Amplification近紅外離散放大光子探測器又可以被稱為近紅外銦鎵砷探測器,波長覆蓋950nm至1650nm的近紅外波段。Amplification熱電制冷近紅外探測器DAPD TO8專為寬帶模擬檢測低光信號而設計,近紅外銦鎵砷探測器對NIR模擬檢測器而言具有的信號脈沖靈敏度。熱電冷卻InGaAs探測器 波長950-1650nm

950-1650nm,2000個光子的靈敏動態,配備熱電冷卻器的NIR InGaAs光子探測器

Amplification NIRDAPD TEC近紅外探測器是一款近紅外離散放大光子探測器,波長覆蓋950nm1650nm的近紅外波段。Amplification熱電制冷近紅外探測器DAPD TO8專為寬帶模擬檢測低光信號而設計,近紅外銦鎵砷探測器對NIR模擬檢測器而言具有的信號脈沖靈敏度。NIR InGaAs光子探測器的靈敏度涵蓋了從單個光子到每脈沖約2000個光子的寬動態范圍,并且其輸出信號與檢測到的光子數成正比。熱電冷卻InGaAs探測器 波長950-1650nm

Amplification近紅外光子探測器采用了離散放大(DA)方法,該方法由Amplification Technologies公司開發并獲得利。Amplification近紅外離散放大光子探測器可以實現高品質的內部放大,具有高增益(>105)、快速響應(<0.4ns上升時間)和極低的過噪聲因子(<1.05)。該近紅外銦鎵砷光子探測器采用TO-8封裝,并配備三階段熱電冷卻器。與DEM2系列評估模塊結合使用時,當環境溫度為25°C時,NIRDAPD TEC可以冷卻到-50°C

Amplification近紅外TEC探測器DAPD-TO8有兩種不同的有效面積尺寸可供選擇:80µm200µm

熱電冷卻InGaAs探測器 波長950-1650nm


Amplification近紅外探測器的主要特點:

-近紅外光譜響應從9501650 nm

-快速響應:上升時間< 0.4ns

-高增益:在最大PDE下,G=~100k

  -低噪聲因子:F<1.05

  - TEC冷卻到-50oC

  這表明熱電冷卻InGaAs探測器可以通過熱電制冷(TEC)技術冷卻到極低的溫度。在低溫下,Amplification近紅外離散放大光子探測器的性能可能會得到提高,因為熱噪聲會減少。Amplification近紅外探測器DAPD TO8的輸出信號相對于噪聲是非常干凈的,可以提高檢測的準確性。


Amplification近紅外銦鎵砷探測器的主要應用:

       -激光雷達3D成像

       -激光雷達和環境監測

       -光譜學和儀器

       -量子通信

NIRDAPD TEC近紅外探測器的規格:(工作溫度為 -50°時)          

熱電冷卻InGaAs探測器 波長950-1650nm

熱電冷卻InGaAs探測器 波長950-1650nm

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