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SnSe 硒化錫晶體 (Tin Selenide)

參   考   價: 7579.65

訂  貨  量: ≥1 片

具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號

品       牌2D Semiconductors

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地泰州市

更新時間:2024-06-03 11:13:17瀏覽次數(shù):646次

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In the bulk form SnSe has band-gap at around 0.9 eV (indirect) and 1.25 direct gaps. It has layered structure (lamellar) with weak interlayer coupling, enabling to isolate down to monolayers.

In the bulk form SnSe has band-gap at around 0.9 eV (indirect) and 1.25 direct gaps. It has layered structure (lamellar) with weak interlayer coupling, enabling to isolate down to monolayers. Each monolayer is four atoms thick (Se-Sn-Sn-Se) that is roughly 0.9-1.0 nm. At high pressures it undergo semiconductor to superconductor transition. More recently, SnSe has been shown to display world record performance for thermoelectric material efficiency.

SnSe single crystal characteristics


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