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泰州巨納新能源有限公司

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SnSe 硒化錫晶體 (Tin Selenide) 返回列表頁

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參考價: ￥ 7579.65

訂貨量: ≥1 片

具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號

品牌2D Semiconductors

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所在地泰州市

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更新時間：2024-06-03 11:13:17瀏覽次數(shù)：646次

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二維材料: 鈣鈦礦/OLED 異質(zhì)結(jié) MOFS材料其他二維材料二維材料溶液二維材料薄膜二維材料粉末絕緣體黑磷六方氮化硼晶體碲化物晶體硒化物晶體硫化物晶體

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產(chǎn)品簡介

供貨周期	現(xiàn)貨	應(yīng)用領(lǐng)域	環(huán)保,化工,能源,綜合

In the bulk form SnSe has band-gap at around 0.9 eV (indirect) and 1.25 direct gaps. It has layered structure (lamellar) with weak interlayer coupling, enabling to isolate down to monolayers.

詳情介紹

In the bulk form SnSe has band-gap at around 0.9 eV (indirect) and 1.25 direct gaps. It has layered structure (lamellar) with weak interlayer coupling, enabling to isolate down to monolayers. Each monolayer is four atoms thick (Se-Sn-Sn-Se) that is roughly 0.9-1.0 nm. At high pressures it undergo semiconductor to superconductor transition. More recently, SnSe has been shown to display world record performance for thermoelectric material efficiency.

SnSe single crystal characteristics