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獵戶座 3100S 空氣分子污染物監測系統
痕量級AMC空氣分子污染物 Ma Mb(NH3,HCL,HF等）監測---半導體行業應用
光刻工藝潔凈室內痕量級NH3,HCL,HF氣體的超高靈敏度、實時測量
實踐證明深紫外光刻工藝深受多種類微量污染物的影響，對很多微量污染物極為敏感，比如氨氣或者酸性氣體都會給半導體生產帶來極大的危害，盡管隨著深紫外耐腐蝕材料技術的發展，已經減少了長時間持續實時監測，而實際上空氣分子污染（AMC）的實時測量對產品質量的好壞至關重要。
獵戶座3100S系列空氣分子污染物監測系統基于CEAS（腔增強吸收光譜）技術連續分析儀器，將增加半導體器件阻抗*性、保證更長的過濾器壽命、減少生產過程的停工時間。
ETG HMI（人機交互界面）軟件可以實時觀察、實時測量、實時操作對不同空間不同位置的NH3、HCL、HF進行分析，軟件專門針對半導體行業開發，對于深紫外光刻工藝過程中監測與控制空氣分子污染（AMC）提供有力的支持，軟件集成了多點采樣（MS）控制功能，具有實時顯示數據曲線、報警、存儲、趨勢、歷史曲線、分析等功能。
獵戶座 3100S 系統: 完善的空氣分子污染（AMC）監測
實時監測空氣分子污染（AMC）對于半導體生產過程極為重要。
快速監測、報警、極低濃度測量、寬測量區域、多氣體的高靈敏響應等是半導體工業要求之一。
深紫外光刻工藝特別關注氨、胺類、N-甲基吡咯烷酮NMP、酸類等濃度測量，當這些氣體與化學放大光刻膠反生反應時，將深深的影響半導體器件質量。
傳統古老的方法多采用間接測量分析方法。包括撞擊濾塵器、離子色譜、化學熒光法，這些方法分析速度太慢，操作過程太復雜，昂貴并且測量結果不精確。
ETG采用被證明的CEAS（腔增強吸收光譜）技術解決AMC（空氣分子污染物）監測難題，可快速測量痕量級NH3、HCL、HF，采用脈沖熒光法測量SO2，采用增強型GC-FID測量VOCs。
獵戶座 3100S系列空氣分子污染物監測系統測量痕量級NH3、HCL、HF并集成了uVOC-CAM特性，是半導體行業潔凈室AMC（空氣分子污染）測量的有力工具。
獵戶座 3100S也集成了多點監測系統，可依序將氣體抽送到分析儀或傳感器，并讀出測量結果。獵戶座 3100S內嵌的報警、報告、分析軟件是由多年半導體行業經驗的工程師集體開發。
獵戶座 3100S使用Ethernet、RS485/RS232或4-20mA模擬模塊可以輸出來自4~6臺分析儀或傳感器的數據。
每臺分析儀配有內置計算機（Linux OS），可進行數據存儲和數據輸出，還支持遠程網絡控制，通過互聯網可以連接ETG公司總部或者當地經銷商服務商，進行操作或者診斷。
使用者可以通過網絡瀏覽器比如IE、Chrome等世界任意可以聯網的地方進行操作，遠程操作可實現多級管理權限控制和操作。
獵戶座 3100S 系統配置
增強靈敏度
儀器基于CEAS（腔增強吸收光譜）技術，極簡使用、便捷操作，所有部件（包括內置真空泵、鍵盤、鼠標、顯示器等）幾分鐘內可開始記錄數據，其他大氣中的水汽、CO2、O2、甲烷等不會對HCL、HF、NH3等測量構成交叉干擾。內置計算機可以存儲大量數據到內置硬盤上，可同過數字接口或者模擬接口傳輸數據，可通過互聯網遠程存儲或記錄數據，高質量的數據庫，適合于苛刻的半導體痕量級氣體應用。
檢測限/精度 (1-σ) : HCl 0.1 ppb
HF 0.1 ppb
NH3 < 0.1 ppb
快速響應時間
每個通道5秒
系統即插即用
系統可在潔凈間幾分鐘內簡單操作完成
低成本
因CEAS（腔增強吸收光譜）系統不需要特別的維護保養和備品備件，所以很好的降低了使用者成本。
CEAS（腔增強吸收光譜）---原理
基于CEAS（腔增強吸收光譜）技術的儀器原理圖，使用近紅外波段光進行高靈敏度吸收測量，測量腔室由一組高反射率多次反射鏡片組成的柱狀體構成，激光束經過固態校準器（FSR=2.00GHz）時會測量得到相對激光波長。為了保證清晰度，忽略了原本照射到左側測量單元腔鏡外的光束。
EP增強型版本集成了壓力傳感器和內部溫度控制器，具有超穩定性測量腔室，防止溫度漂移、壓力變化等造成的誤差。
CEAS（腔增強吸收光譜）相比于*代的CRDS（腔衰蕩光譜）技術，有許多已被證明的優勢。簡而言之，激光束不需要共振耦合進入測量腔室（例如光束不需要嚴格對準）。ETG分析儀器和系統具有天生安裝簡單、機械牢固、防護結實等特點。
獵戶座 3100S的特性
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