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通過D-Swafer中心切割技術使用GC/MS研究 溶劑中的雜質

閱讀:152      發(fā)布時間:2024-10-21
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簡介 溶劑在制藥和食品生產企業(yè)因為各種各樣的目的被廣泛 使用。重要的是,這些溶劑在使用之前,都必須經過精 心的質量控制(QC)測定,以確保其中不含有不安全級 別的雜質。 氣相色譜(GC是分析溶劑中雜質的技術,再配上 一臺質譜檢測器,就可以鑒定其中所含的雜質是什么。 由于許多溶劑都是通過分餾生產而得到,因此雜質將與 溶劑具有相類似的沸點。因而在GC分析中,雜質的保留 時間將與溶劑接近,從而共流出的風險將非常高。 因此,當溶劑被洗脫出來時,如果質譜保持工作狀態(tài), 離子源或者檢測器的污染可能會導致燈絲損壞的風險大 大增加。本應用文獻介紹了一種中心 切割技術,該技術允許所有注射的樣 品到達檢測器,從而解決了溶劑峰 分離度和潛在的檢測器損壞的問題


方法 對于本應用文獻,D-Swafer™ Dean’s開關的配置如圖 1所示。這是傳統(tǒng)的Dean’s開關的配置,能夠從第一根 色譜柱流出物直接進行切割,使其進入第二根色譜柱。 12給出了更詳細的分析系統(tǒng)和分析條件。 Swafer安裝工具軟件包,在該軟件中包含了產品說明, 確定了連接到FID限流管的幾何形狀。平衡第二根色譜 柱的流速以使Swafer切換到正常的功能是必要的。


樣品 在本應用文獻中,分析了5個來源于不同供應商的分析 二氯甲烷(DCM)及1個乙酸乙酯樣品。 


結果 隨著Swafer開關電磁閥(V4)關閉,從色譜柱1流出物 直接進入檢測器1-火焰離子化檢測器(FID)。圖2顯示 了一個DCM樣品在FID檢測器上觀測到色譜圖。 在全V41出的 22MS4DCM3雜質化合物的靈敏度明顯優(yōu)于FID。 


由圖4可以看出,在溶劑的主峰附近可能掩蓋了一些較 小的色譜峰。 

……

結論 邊緣切割和中心切割技術提供了一個全面和可信的 方法,以檢測溶劑中低含量雜質。雖然溶劑峰切割 過程需要幾個重復相同的樣品色譜圖,這些運行程 序需要的時間都是相當短且等溫的,因此全部的分 析時間僅僅需要50min。這段時間是必需的,在繪 制出這些難分析組分的譜圖。在本文獻中研究的樣 品,在切割色譜中,僅發(fā)現了有兩個額外的峰,因 此該方法可以只優(yōu)化受中心切割影響的那部分,減 少必要的運行數量。 雖然我們僅證明了該項技術在二氯甲烷和乙酸乙酯 樣品中的應用,但是同樣的方法可以擴展到其他溶 劑,和有興趣鑒定、定量低濃度水平且與其它相對 較強色譜峰共流出的化合物的其它任何樣品。

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