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PCVD工藝的具體流程
PECVD等離子體增強化學氣相沉積是一種利用等離子體來促進氣體反應的CVD技術。其特點包括：
1、低溫沉積：PECVD可以在較低的基材溫度下進行，因為等離子體提供的能量能夠促進氣體反應，降低沉積溫度的需求。
2、高沉積速率：等離子體增強了氣體反應速率，從而提高了薄膜沉積速率。
3、良好的膜質量：PECVD沉積的薄膜通常具有較好的均勻性和較低的缺陷密度，適用于需要高質量薄膜的應用。
4、適應性強：可以沉積多種材料，包括氧化物、氮化物和氟化物等，廣泛應用于半導體、光電器件和保護涂層等領域。
5、控制性好：通過調整等離子體的參數（如功率、氣體流量和壓力），可以精確控制薄膜的成分和性質。
PCVD工藝的流程：
(1)沉積。沉積過程借助低壓等離子體使流進高純度石英玻璃沉積管內的氣態鹵化物和氧氣在1000℃以上的高溫條件下直接沉積成設計要求的光纖芯中玻璃的組成成分。
(2)熔縮。沿管子方向往返移動的石墨電阻爐對小斷旋轉的管子加熱到大約2200℃，在表面張力的作用下，分階段將沉積好的石英管熔縮成一根實心棒(預制棒)。
(3)套棒。為獲得光纖芯層與包層材料的適當比例，將熔縮后的石英棒套入一根截面積經過精心挑選的管子中，這樣裝配后即可進行拉絲。
(4)拉絲。套棒被安裝在拉絲塔的頂部，下端緩緩放入約2100℃的高溫爐中，此端熔化后被拉成所需包層直徑的光纖(通常為125 cm)，并進行雙層涂覆和紫外固化。
(5)光纖測試。拉出的光纖要經過各種試，以確定光纖的幾何、光學和機械性能。