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[供應]介電常數與介質損耗測試儀
介電常數與介質損耗測試儀電感器：
按測試頻率要求，需要配置不同量的電感器。
例如：在1MHz測試頻率時，要配250μH電感器，在50MHz測試頻率時，要配0.1μH電感器等。
高頻介質樣品（選購件）：
在現行高頻介質材料檢定系統中，檢定部門為高頻介質損耗測量儀提供的測量標準是高頻標準介質樣品。
該樣品由人工藍寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測試樣品。用戶可按需訂購，以保證測試裝置的重復性和準確性。
介電常數與介質損耗測試儀特點：
◎ 本公司創新的自動Q值保持技術，使測Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質損耗角(tanδ)和介電常數(ε)變化的測試。
◎ 調諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數：Q值，測試頻率，調諧狀態等。
◎ Q值量程自動/手動量程控制。
◎ DPLL合成發生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測試信號。獨立信號 源輸出口，所以本機又是一臺合成信號源。
◎ 測試裝置符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規范要求。
主要技術指標：
2.1 tanδ和ε性能：
2.1.1 固體絕緣材料測試頻率200kHz～160MHz的tanδ和ε變化的測試。
2.1.2 tanδ和ε測量范圍：
tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50
2.1.3 tanδ和ε測量精度（1MHz）：
tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%
工作頻率范圍：20kHz～70MHz 四位數顯，壓控振蕩器
Q值測量范圍：1～1000三位數顯，±1Q分辨率
可調電容范圍：40～500 pF ΔC±3pF
電容測量誤差：±1%±1pF
Q表殘余電感值：約20nH
定義
介質損耗角dielectric loss angle
由絕緣材料作為介質的電容器上所施加的電壓與由此而產生的電流之間的相位差的余角。
介質損耗因數，，dielectric dissipation factor
tan8損耗角a的正切。
〔介質〕損耗指數
E,該材料的損耗因數
tan8與相對電容率:r的乘積
復相對電容率complex relative permittivi
式 中 :
E, 一復相對電容率; 損耗指數;
r一相對電容率;
tan8一介質損耗因數。
注 :有損耗的電容器在任何給定的頻率下能用電容C和電阻R,的串聯電路表示，或用電容C,和電阻R,(或電導G, )的 并 聯 電 路表示
CP— 并聯電容;
R,— 并聯電阻。
雖然以并聯電路表示一個具有介質損耗的絕緣材料通常是合適的，但在單一頻率下有時也需要以電容C,和電阻R,的串聯電路來表示。
串聯元件與并聯元件之間，成立下列關系:
試驗步驟
7. 1 試樣的制備試樣 應 從 固體材料上截取，為了滿足要求，應按相關的標準方法的要求來制備。GB/T 1409-2006應精 確 地 測量厚度，使偏差在士(0.2 %士。.005m m)以內，測量點應均勻地分布在試樣表面。必要時，應測其有效面積。
7.2 條件處理條 件 處 理應按相關規范規定進行。
7.3 測f電氣 測 量 按本標準或所使用的儀器(電橋)制造商推薦的標準及相應的方法進行。在 1 M H z或更高頻率下，必須減小接線的電感對測量結果的影響。此時，可采用同軸接線系統(見圖1所示)，當用變電抗法測量時，應提供一個固定微調電容器。
8 結果
8.1 相對電容率E,
試樣 加 有 保護電極時其相對電容率。r可按公式(1)計算，沒有保護電極時試樣的被測電容,Cl 包括
了一個微小的邊緣電容Ce，其相對電容率為:
式 中 :
E,— 相 對電容率;
,Cl — 沒 有保護電極時試樣的電容;
C,— 邊 緣電容;
Co — 法向極間電容;
Co 和 C 。能從表1計算得來。
必要 時 應 對試樣的對地電容、開關觸頭之間的電容及等值串聯和并聯電容之間的差值進行校正。微 計 電 極間或不接觸電極間被測試樣的相對電容率可按表2、表3中相應的公式計算得來。
8.2 介質損耗因數tan8
介質 損 耗 因數tans按照所用的測量裝置給定的公式，根據測出的數值來計算。
8.3 精度要求
在第 5章 和附錄A中所規定的精度是:電容率精度為士1%，介質損耗因數的精度為士(5%士
0.000 5)。這些精度至少取決于三個因素:即電容和介質損耗因數的實測精度;所用電極裝置引起的這些量的校正精度;極間法向真空電容的計算精度(見表1).
在較 低 頻 率下，電容的測量精度能達士(0.1 %士。02p F)，介質損耗因數的測量精度能達士(2%士0.0000 5)。在較高頻率下，其誤差增大，電容的測量精度為士(0.5 %士0.1 p F)，介質損耗因數的測量精度為士(2%土。.000 2).對 于 帶 有保護電極的試樣，其測量精度只考慮極間法向真空電容時有計算誤差。但由被保護電極和保護電極之間的間隙太寬而引起的誤差通常大到百分之零點幾，而校正只能計算到其本身值的百分之幾。如果試樣厚度的測量能精確到士。.005 mm，則對平均厚度為1. 6 mm的試樣，其厚度測量誤差能達到百分之零點幾。圓形試樣的直徑能測定到士0. 1%的精度，但它是以平方的形式引人誤差的，綜合這些因素，極間法向真空電容的測量誤差為10.5%e對 表面 加 有電極的試樣的電容，若采用測微計電極測量時，只要試樣直徑比測微計電極足夠小，則只需要進行極間法向電容的修正。采用其他的一些方法來測量兩電極試樣時，邊緣電容和對地電容的計算將帶來一些誤差，因為它們的誤差都可達到試樣電容的2%-40%。根據目前有關這些電容資料，計算邊緣電容的誤差為10%，計算對地電容的誤差為25 。因此帶來總的誤差是百分之幾十到百分之幾。當電極不接地時，對地電容誤差可大大減小。
采用 測 微 計電極時，數量級是。.03的介質損耗因數可測到真值的士0.0003 ，數量級0.0002 的介質損耗因數可測到真值的士。.000 05。介質損耗因數的范圍通常是。.000 1-0. 1，但也可擴展到。.1以上。頻率在10 MH:和20 MHz之間時，有可能檢測出。.00002的介質損耗因數。1-5的相對電容率可測到其真值的士20o，該精度不僅受到計算極間法向真空電容測量精度的限制，也受到測微計電極系統誤差的限制。
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