關于CVD化學氣相沉積

最近更新時間：2022-4-11

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CVD: 化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition)

CVD: 化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition)，用含有目標元素的氣體，接收能量后通過化學反應，制備固體薄膜。CVD(化學氣相沉積)是半導體工業(yè)中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，它是很簡單的:兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導入到一個反應室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。淀積氮化硅膜(Si3N4)就是一個很好的例子，它是由硅烷和氮反應形成的。化學氣相沉積法是傳統(tǒng)的制備薄膜的技術，其原理是利用氣態(tài)的反應物，通過原子、分子間化學反應，使得氣態(tài)前驅(qū)體中的某些成分分解，而在基體上形成薄膜。化學氣相沉積包括常壓化學氣相沉積、等離子體輔助化學沉積、激光輔助化學沉積、金屬有機化合物沉積等。

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