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日本科學家利用化合物半導體制作高性能光開關

2012-12-3  閱讀(3249)

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【高工LED綜合報道】 日本早稻田大學的宇高勝之教授等人,在日立制作所的協助下,開發出可以超高速分配光通信信號的化合物半導體制的高性能光開關(Switch)。該小組下功夫研究組件的構造,防止偏光造成的性能劣化。2010年中可望實用為大容量光網絡的關鍵零組件。

光通信必*將光纖傳輸的信號,依對象予以分配的開關技術。以現有的光開關而言,分配需時數毫秒~數微秒;未來的高速通信,被要求需縮短至數納秒水平。研究小組以適合控制高速信號與小型化的化合物半導體,InAlGaAs等材料,試制分配輸入信號的簡易開關。基板 材料由日立提供。具體言之,使光信號分岔成2條路徑,若僅在單一條路徑自電極注入電子,則光的傳播方向產生偏差。再將這些光重新重迭聚合,使其可以僅朝希望的方向輸出信號。

傳統的半導體開關,因為輸入的光的偏光,會造成輸出信號質量降低;宇高教授等人將半導體的一部份挖深等,下功夫研究開關的設計,以減少偏光的影響。不管光朝縱、橫任何方向振動,都可以高精度予以分配。據說,分配的時間也大幅縮短至約3納秒。

利用新開關,控制信號所需的電力約為5mW,為原來的1/10以下。未來即使光網絡的信息量增加,預期信息機器、通信網等的耗電量也可以控制。研究小組將持續研究、改良,防止開關造成光信號的衰減,預計2010年左右付諸實用。
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