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利用電子顯微鏡觀察界面生成物與界面處之細微孔洞
閱讀：1318 發布時間：2013-3-1
利用電子顯微鏡觀察界面生成物與界面處之細微孔洞
銲錫中銅含量對于Sn-3.0Ag-xCu覆晶銲錫接點之界面反應研究
在本研究中，將探討150°C之時效處理與介于-55°C至125°C之溫度循環測試對于Sn-2.3Ag與Sn-3.0Ag-xCu覆晶銲錫接點之界面反應之影響。
在Sn-2.3Ag或Sn-3.0Ag-xCu銲錫凸塊與晶片間之金屬凸塊結構為Ni/Al/Cu/SiO2，而PCB上之銲錫凸塊之結構為Au/electroless Ni/Cu。
此外，銲錫中之銅含量在界面反應中所扮演之角色也是本研究的重點之一。
金線與鋁墊間之固態反應研究
在積體線路封裝中，晶片與導線架之間的連接目前仍然主要是利用打線接合技術。在本研究中，將探討150°C時效處理對于Au-Cu wire/Al-Cu pad
接點處之界面反應之影響。試片經過研磨、拋光后，再利用PECS （precision etching and coating system）進行離子蝕刻。
試片經過離子蝕刻后，將易于利用場發射電子顯微鏡（FE-SEM）觀察界面生成物與界面處之細微孔洞。
實驗中發現界面生成物會隨著時效處理時間之增加而產生相變化，因此在本研究中將藉由顯微結構的觀察與定量分析之結果，探討界面相變化之情形。
參考資料：
http://www.xianweijing.org/