太陽能硅片厚度儀
太陽能硅片厚度儀CHY-U是制備太陽能硅片過程中*的檢測設備，硅片厚度有一定的偏差范圍，對于180μm厚度的硅片，其偏差范圍為±20μm，超過此范圍則成為不良品--薄厚片。薄厚片是衡量硅片品質的一個很重要的指標。薄厚片的存在會影響硅片合格率及電池片的生產工藝，因此硅片厚度成為一項重要檢測指標。
標準 GB/T 6618-2009《硅片厚度和總厚度變化測試方法》中給出了硅片厚度的測量方法，并對檢測儀器的相關參數做出了規定：
1.測厚儀由帶指示儀表的探頭及支持硅片的夾具或平臺組成。
2.測厚儀應能使硅片繞平臺中心旋轉，并使每次測量定位在規定位置的2mm范圍內。
3.儀表zui小指示量值不大于1μm。
4.測量時探頭與硅片接觸面積不應超過2mm²。
太陽能硅片厚度儀
CHY-U型太陽能硅片厚度儀*上述要求，還配有自動進樣器，可完成2mm范圍內各種薄膜、復合膜、紙張、金屬箔片等硬質和軟質材料厚度測量。在太陽能硅片的生產過程中能夠起到重要作用。
從根本上講，薄厚片的產生都是由于各種問題導致線網抖動而造成的。薄厚片可分為兩大類：TV（ThicknessVariation厚度偏差），主要指硅片與硅片之間相同位置之間的厚度偏差，通常存在于同一鋸硅片中。TTV（TotalThicknessVariation整體厚度偏差），指同一片硅片上zui厚位置與zui薄位置之間的偏差。薄厚片根據其在硅片內的分布位置可以分為四類：整片薄厚（TV）；入刀點薄厚（TTV）；硅片中部至出刀點薄厚（TTV）；單片薄厚不均（TTV）。其產生原因分析如下：
(1)整片薄厚：
a.導輪槽距不均勻。
b.切割前未設好零點。
c.導向條與硅塊之間留有縫隙，切割開始后，隨著鋼線的運行，部分碎導向條被帶入線網，鋼線錯位，由于鋼線在切割過程中會瞬間定位，這樣就造成硅片整片薄厚的現象。
d.導輪槽磨損嚴重。
(2)入刀點薄厚（在硅片上出現薄厚的位置通常為入刀點至向上延伸6mm的區域）：
a.工作臺墊板更換錯誤。
b.入刀階段砂漿流量大。
(3)硅片中部至出刀點薄厚：
a.切割過程中，有碎片、碎導向條等雜質混入砂漿中，隨著砂漿的流動和鋼線的轉動卷入導輪上的線網中，引起跳線和切斜，造成該區域的硅片中部至出刀點薄厚。
b.砂漿流量不合適。
(4)單片薄厚不均：
a.鋼線張力異常，波動較大。
b.導輪跳動較大。
c.機床水平問題。
d.導輪問題。
通過對薄厚片的類型及產生原因進行分析，可以更好地減少薄厚片的產生，搭配CHY-U型太陽能硅片厚度儀對硅片厚度進行測量，可提高產品的成品合格率。
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