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北京瑞科中儀科技有限公司
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貨物所在地:北京北京市
更新時間:2025-04-11 15:11:43
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產品簡介詳細介紹
ICP-CVD 感應耦合電漿化學氣相沉積設備(ICP-CVD)是一種使用ICP的化學氣相沉積技術,可為沉積反應提供一些能量。與PECVD方法相比,ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會降低薄膜質量。因使用ICP做為電漿源,有電漿濃度較高、能量損耗較低、功率較大與反應速率較高等優點。
SYSKEY感應耦合電漿化學氣相沉積設備的ICP-CVD可以精準的控制製程氣體與監控其數據(壓力、載臺溫度),並提供高品質的薄膜。
奈米碳管與石墨烯製程。
SiOx、SiNx、a-Si、DLC和其他薄
膜製程。
二維材料。
醫療和商業產品的耐磨薄膜。
陽極電鍍處理鋁腔。
通過使用水冷系統、加熱器或
加熱包來控制腔體溫度。
客製化的基板尺寸,最大直徑可達
12寸晶圓。
腔體壓力:50~10-3 Torr。
精準流量控制器,氣體分佈高度均勻,最多可擴充10條氣體管線。
穩定的溫度控制,將載盤加熱至700°C。
使用Tornado ICP線圈,ICP電漿範
圍為50W ~2000W,滿足客戶ICP-CVD製程需求。
可以與傳送腔、機械手臂和手
套箱整合在一起。
RPS用於腔體清潔。
橢圓偏振光譜儀。
發射光譜儀。
高真空傳送系統。
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