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目錄:北京瑞科中儀科技有限公司>>掃描電子顯微鏡>>卡爾蔡司電子顯微鏡>> Crossbeam掃描電子顯微鏡SEM

掃描電子顯微鏡SEM
  • 掃描電子顯微鏡SEM
參考價 面議
具體成交價以合同協議為準
參考價 面議
具體成交價以合同協議為準
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 Crossbeam
  • 廠商性質 經銷商
  • 所在地 北京市
屬性

產地類別:國產 應用領域:環保,化工

>

更新時間:2024-07-10 07:04:21瀏覽次數:1578評價

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產地類別 國產 應用領域 環保,化工
掃描電子顯微鏡SEM
蔡司Crossbeam系列的FIB-SEM結合了場發射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)出色的成像和分析性能,和新一代聚焦離子束(FIB)優異的加工性能。無論是在科研或是工業實驗室,您都可以在一臺設備上實現多用戶同時操作。得益于蔡司Crossbeam系列模塊化的平臺設計理念,您可以根據自己需求的變化隨時升級儀器系統。在加工、成像或是實現三維重構分析時,Crosssbeam系列都將

掃描電子顯微鏡SEM

蔡司Crossbeam系列的FIB-SEM結合了場發射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)出色的成像和分析性能,和新一代聚焦離子束(FIB)優異的加工性能。無論是在科研或是工業實驗室,您都可以在一臺設備上實現多用戶同時操作。得益于蔡司Crossbeam系列模塊化的平臺設計理念,您可以根據自己需求的變化隨時升級儀器系統。在加工、成像或是實現三維重構分析時,Crosssbeam系列都將大大提升您的應用體驗。

  使用Gemini電子光學系統,您可以從高分辨率SEM圖像中提取真實樣本信息

  使用新的Ion-sculptor FIB鏡筒以及全新的樣品處理方式,您可以大限度地提高樣品質量、降低樣品損傷,同時大大加快實驗操作過程

  使用Ion-sculptor FIB的低電壓功能,您可以制備超薄的TEM樣品,同時將非晶化損傷降到非常低

  使用Crossbeam 340的可變氣壓功能

  或使用Crossbeam 550實現更苛刻的表征,大倉室甚至為您提供更多選擇

  EM樣品制備流程

  按照以下步驟,高效率、高質量地完成制樣

  Crossbeam 為制備超薄、高質量的TEM樣品提供了一整套解決方案,您可以高效地準備樣品,并在TEM或STEM上實現透射成像模式的分析。

 

  1.自動定位——感興趣的區域(ROI)輕松導航

  您可以不費功夫地找到感興趣的區域(ROI)

  使用樣品交換室的導航相機對樣品進行定位

  集成的用戶界面使得您可以輕松定位到ROI

  在SEM上獲得寬視野、無畸變的圖像

 

 

  2. 自動制樣——從體材料開始制備薄片樣品

  您可以通過簡單的三個步驟制備樣品:ASP(自動樣品制備)

  定義參數包括漂移修正,表面沉積以及粗切、精細切割

  FIB鏡筒的離子光學系統保證了工作流程具有的通量

  將參數導出為副本,進而可以重復操作實現批量制備

 

  3. 輕松轉移——樣品切割、轉移機械化

  導入機械手,將薄片樣品焊接在機械手的針尖上

  將薄片樣品與樣品基體連接部分進行切割,使其分離

  薄片隨后會被提取并轉移到TEM柵網上

 

  4. 樣品減薄——獲取高質量TEM樣品至關重要的一步

  儀器在設計上允許用戶實時監控樣品厚度,并最終達到所需求的目標厚度

  您可以同時通過收集兩個探測器的信號判斷薄片厚度,一方面可以通過SE探測器以高重復性獲取最終厚度,另一方面可以通過Inlens SE 探測器控制表面質量

  制備高質量的樣品,并將非晶化損傷降到可以忽略的地步

 蔡司 Crossbeam 340蔡司 Crossbeam 550
掃描電子束系統Gemini I VP 鏡筒

Gemini II鏡筒

可選Tandem decel

樣品倉尺寸和接口標準樣品倉有18個擴展接口標準樣品倉有18個擴展接口或者加大樣品倉有22個擴展接口
樣品臺X/Y方向行程均為100mmX/Y方向行程:標準樣品倉100mm加大樣品倉153 mm 
荷電控制

荷電中和電子槍

局域電荷中和器

可變氣壓

荷電中和電子槍

局域電荷中和器

 

可選選項

Inlens Duo探測器可依次獲取SE/EsB圖像

VPSE探測器

Inlens SE 和 Inlens EsB可同時獲取SE和ESB成像

大尺寸預真空室可傳輸8英寸晶元

注意加大樣品倉可同時安裝3支壓縮空氣驅動的附件。例如 STEM, 4分割背散射 探測器和局域電荷中和器

特點由于采用了可變氣壓模式,從而具有更大范圍的樣品兼容性,適用于各類原位實驗,可依次獲取SE/EsB圖像高效的分析和成像,在各種條件下保持高分辨特性,同時獲取Inlens SE和Inlens ESB圖像


*SE 二次電子,EsB 能量選擇背散射電子



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