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產品簡介
該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計的，專用于測試半導體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的專用儀器。
詳細介紹
| 測量范圍 | 電阻率：10-4～105 Ω.cm（可擴展）； 方塊電阻：10-3～106 Ω/□（可擴展）； 電導率：10-5～104 s/cm； 電阻：10-4～105 Ω； |
| 可測晶片直徑 | 140mmX150mm（配S-2A型測試臺）； 200mmX200mm（配S-2B型測試臺）； 400mmX500mm（配S-2C型測試臺）； |
| 恒流源 | 電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續可調 |
| 數字電壓表 | 量程及表示形式：000.00～199.99mV； 分辨力：10μV； 輸入阻抗：>1000MΩ； 精度：±0.1% ； 顯示：四位半紅色發光管數字顯示；極性、超量程自動顯示； |
| 四探針探頭基本指標 | 間距：1±0.01mm； 針間絕緣電阻：≥1000MΩ； 機械游移率：≤0.3%； 探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm； 探針壓力：5～16 牛頓（總力）； |
| 四探針探頭應用參數 | （見探頭附帶的合格證） |
| 模擬電阻測量相對誤差 （ 按JJG508-87進行） | 0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字 |
| 整機測量zui大相對誤差 | （用硅標樣片：0.01-180Ω.cm測試）≤±5% |
| 整機測量標準不確定度 | ≤5% |
| 計算機通訊接口 | 并口，高速并行采集數據，連接電腦使用時采集數據到電腦的時間只需要1.5 秒（在 0.1mA、1mA、10mA、100mA量程檔時）。連接電腦使用時帶自動測量功 能，自動選擇適合樣品測試電流量程； |
| 標準使用環境 | 溫度：23±2℃； 相對濕度：≤65%； 無高頻干擾； 無強光直射； |