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| 應用領域 | 綜合 |
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霍爾效應測量系統 L79/HCS 介紹：
基本型提供不同形狀和溫度條件下所需的樣品支架。選配低溫（液氮）附件結合高溫爐（zui高溫度可達240°C）可保證所有應用領域環境條件下的測試。永磁體和電磁鐵可提供高達數個特斯拉強度的固定或者可變磁場。
基于測量軟件可顯示的視窗內容包括I-V和I-R數據圖。
系統可測試多種材料包括Si,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型或P型均可測量),金屬膜,氧化物等,樣品測試時便可完成系統功能演示。
霍爾效應測量系統 L79/HCS 特點：
•載流子濃度
•電阻率
•遷移率
•電導率
•α(水平電阻值/垂直電阻值)
•霍爾常數
•磁致電阻
技術參數：
輸入電流:500nA到10mA (500nA步長)
霍爾電壓:0.5到4.5V
極限分辨率:65pV
樣品形狀:15x15,20x20,25x25mm,高度可達5mm
磁場強度:可達 1T
傳感器:液氮溫度到240°C
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