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| 產地類別 | 進口 | 價格區間 | 面議 |
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| 應用領域 | 電子/電池,航空航天,汽車及零部件,電氣,綜合 |
PSEL制冷型InGaAs短波紅外相機
PSEL公司使用的InGaAs陣列短波紅外相機，具有極低低暗電流和低缺陷像素數。得益于高效的冷卻和穩定的偏置基線，PSEL的短波紅外InGaAs相機可以在SWIR光譜中進行精確的計量測量。Camera Link和千兆以太網視覺兼容的界面接口使相機集成到客戶現有系統變得很容易。具有可見光擴展的640 x 512 VGA SWIR芯片以及320 x 256分辨率的qVGA兩種選擇。
有特殊要求項目或冷卻選項的OEM客戶自定義版本可用于集成到客戶特定的儀器/系統中。
制冷型InGaAs短波紅外相機主要特征：
主要應用：
技術參數：
型號 | PSEL VGA 15μm | PSEL qVGA 30μm |
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光譜響應范圍 | 900-1700nm | ||
幀頻 | 174fps(在全VGA分辨率下） 570fps(在1/4 VGA分辨率下） 7200fps( 640x4分辨率或光譜模式） | 110 fps 在全幅qVGA 分辨率 |
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芯片尺寸 | 9.6mmx7.68mm |
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像素分辨率 | 640x512像素 | 320x256像素 |
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單像元大小 | 15um x 15um | 30um x 30um |
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滿阱容量 | 20k-23k e-(高增益模式） 80k-105ke-(中增益模式） 1000K-1500k e-(低增益模式） | 110k-150k e- （高增益模式） 1500k-2200k e- (低增益模式) |
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讀出噪聲 | 28-38e-(高增益模式） 50-77e-(中增益模式） 500-800e-(低增益模式） | 110-200e-(高增益模式） 1000-1590e-(低增益模式） |
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制冷溫度 | -25°C (風冷）; -40°C (水冷） | -20°C (風冷）; -40°C (水冷） |
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暗電流 | <0.7fA（風冷）; <0.1fA (水冷） | <8 fA（風冷）; <0.5fA (水冷） |
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A/D | 14-bit 數字化讀出，16-bit數字化處理 |
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曝光時間 | 30us - 1 min | 1us-1s |
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QE@ 1500 nm | 80% |
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IC 版顯微發光成像—水冷SWIR InGaAs 相機, 20倍物鏡，曝光時間30s
MEMS 圓片透射顯微紅外成像—使用SWIR InGaAs 相機，6x 物鏡，曝光時間15ms
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