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二氧化硅基底石墨烯

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  • 二氧化硅基底石墨烯

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  • 型號 1*1cm單層
  • 品牌 其他品牌
  • 廠商性質 生產商
  • 所在地 上海市

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更新時間:2024-06-03 15:46:47瀏覽次數:1185

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產品簡介

供貨周期 一周    
二氧化硅基底石墨烯(1*1cm單層) Graphene on SiO2
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉移到硅襯底

詳細介紹

二氧化硅基底石墨烯(1*1cm單層) Graphene on SiO2
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉移到硅襯底

二氧化硅基底石墨烯(1*1cm單層) Graphene on SiO2
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉移到硅襯底

(1*1cm單層) Graphene on SiO2
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉移到硅襯底

(1*1cm單層) Graphene on SiO2
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉移到硅襯底

(1*1cm單層) Graphene on SiO2
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉移到硅襯底(1*1cm單層) Graphene on SiO2
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉移到硅襯底

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