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二氧化硅基底石墨烯

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  • 二氧化硅基底石墨烯

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  • 型號(hào) 1*1'' 單層
  • 品牌 其他品牌
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 上海市

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更新時(shí)間：2024-06-03 15:45:05瀏覽次數(shù)：1114

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二氧化硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

詳細(xì)介紹

二氧化硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

二氧化硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

（1*1'' 單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

（1*1'' 單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
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（1*1'' 單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
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1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

（1*1'' 單層） Graphene on SiO2
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2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

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1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

（1*1'' 單層） Graphene on SiO2
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定做：＜300Ω/sq
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