MHY-25845型數字式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直四探針法》并參考美 A.S.T.M 標準。
數字式四探針測試儀/臺式四探針電阻率測試儀 型號:MHY-25845
概述
MHY-25845型數字式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直四探針法》并參考美 A.S.T.M 標準。
儀器成套組成：由主機、選配的四探針探頭、測試臺等分組成。
主機主要由恒源、分辨率ADC、嵌入式單片機系統組成。儀器所有參數設定、能轉換采用數字化鍵盤輸入；具有零位、滿度自校能；電壓電自動轉換量程；測試結果由數字表頭直接顯示。本測試儀贈設測試結果分類能，zui大分類10類。
探頭選配：根據不同材料性需要，探頭可有多款選配。有耐磨碳化鎢探針探頭，以測試硅類半導體、金屬、導電塑料類等硬質材料的電阻率/方阻；也有形鍍金銅合金探針探頭，可測柔性材料導電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜（ITO膜）或納米涂層等半導體材料的電阻率/方阻。換上四端子測試夾具，還可對電阻器體電阻、金屬導體的低、中值電阻以及開關類接觸電阻行測量。配用探頭，也可測試電池片等箔上涂層電阻率方阻。
測試臺選配：般四探針法測試電阻率/方阻配HAD-T-A或HAD-T-B或HAD-T-C或HAD-T-F型測試臺。二探針法測試電阻率測試選HAD-T-K型測試臺，也可選配HAD-T-D型測試臺以測試半導體粉末電阻率，選配HAD-T-G型測試臺測試橡塑材料電阻率。詳見《四探針儀器、探頭和測試臺的點與選型參考》
儀器具有測量度、靈敏度、穩定性好、智能化程度、結構緊湊、使用簡便等點。
儀器適用于半導體材料廠器件廠、科研單位、等院校對導體、半導體、類半導體材料的導電性能的測試。
三、基本參數
1. 測量范圍、分辨率（括號內為可向下拓展1個數量）
電 阻：10.0×10-6 ～ 200.0×103 Ω, 分辨率1.0×10-6 ～ 0.1×103 Ω
（1.0×10-6 ～ 20.00×103 Ω, 分辨率0.1×10-6 ～ 0.01×103 Ω）
電 阻 率：10.0×10-6 ～ 200.0×103 Ω-cm 分辨率1.0×10-6 ～ 0.1×103 Ω-cm
（1.0×10-6 ～ 20.00×103 Ω-cm 分辨率0.1×10-6 ～ 0.01×103 Ω-cm）
方塊電阻：50.0×10-6 ～ 900.0×103 Ω/□ 分辨率5.0×10-6 ～ 0.5×103 Ω/□
（5.0×10-6 ～ 100.0×103 Ω/□ 分辨率0.5×10-6 ～ 0.1×103 Ω/□）
2. 材料尺寸(由選配測試臺和測試方式決定)
直 徑： HAD-T-A圓測試臺直接測試方式 Φ15～130mm，手持方式不限
HAD-T-B/C/F方測試臺直接測試方式180mm×180mm，手持方式不限.
長()度： 測試臺直接測試方式 H≤100mm, 手持方式不限.
測量方位: 軸向、徑向均可
量程劃分及誤差等
滿度顯示
200.0
20.00
2.000
200.0
20.00
2.000
200.0
20.00
2.000
常規量程
kΩ-cm/□
kΩ-cm/□
Ω-cm/□
mΩ-cm/□
---
zui大拓展量程
---
kΩ-cm/□
Ω-cm/□
mΩ-cm/□
mΩ-cm/□
基本誤差
±2%FSB
±4LSB
±1.5%FSB
±4LSB
±0.5%FSB±2LSB
±0.5%FSB
±4LSB
±1.0%FSB
±4LSB
作電源：220V±10％, f=50Hz±4％,PW≤5W
5．外形尺寸： 245mm（長）×220 mm（寬）×95mm（）
凈 重：≤1.5～2.0kg
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